[发明专利]晶片封装体

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一光电元件，设置于该第一表面处；

一保护层，设置于该基底的该第二表面上，该保护层具有一开口；

一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且填充于该开口之中；

一导电层，设置于该保护层与该基底之间，该导电层电性连接该光电元件及该导电凸块；以及

一遮光层，设置于该保护层之上，该遮光层不接触该导电凸块。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一穿基底导电结构，该穿基底导电结构包括：

一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸；以及

一绝缘层，形成于该穿孔的侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上；

其中，该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该穿孔的口径沿着自该第二表面朝该第一表面的方向递增。

4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，至少部分的该穿孔不被该遮光层覆盖。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层完全不覆盖该穿孔。

6.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电垫，形成于该基底之中，该导电垫电性连接该光电元件及该导电层。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该穿孔露出该导电垫。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层覆盖部分的该导电垫。

9.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层完全不覆盖该导电垫。

10.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二穿基底导电结构，其中该遮光层包括一凸出部，该凸出部位于该穿基底导电结构与该第二穿基底导电结构之间。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该光电元件包括一影像感测元件或一发光元件。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层与该导电凸块之间间隔有一间距，该间距为该导电凸块的宽度的5％至8％之间。

13.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一微透镜阵列，设置于该光电元件之上。

14.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层包括一金属材料、一高分子材料或前述的组合。

15.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电凸块包括一焊球。

16.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层的最接近该保护层的该开口的一侧端不与该开口的侧壁共平面。

17.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层覆盖该光电元件。

18.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该保护层的该开口之中不具有该遮光层。

19.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层不直接接触该导电层。

20.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该穿孔位于该基底的边缘区。