[发明专利]集成电路静电释放保护电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路静电释放保护电路，其特征在于：包括共用同一衬底的GGMOS和至少1个硅通孔，所述硅通孔设置于GGMOS周围的衬底中。

2.根据权利要求1所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：还包括设置于所述衬底上并围绕所述GGMOS和硅通孔的拾取区。

3.根据权利要求2所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述GGMOS的长度不大于所述拾取区长度的2/3，所述GGMOS的宽度不大于所述拾取区宽度的2/3。

4.根据权利要求3所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述GGMOS的长度为所述拾取区长度的1/3～1/2，所述GGMOS的宽度为所述拾取区宽度的1/3～1/2。

5.根据权利要求1所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述硅通孔中的材料的热导率大于硅的热导率。

6.根据权利要求5所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述硅通孔中的材料为Cu或者W。

7.根据权利要求1至6任一项所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述GGMOS为GGNMOS或者GGPMOS。

8.根据权利要求7所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述GGNMOS为多指状GGNMOS。

9.根据权利要求8所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：所述多指状GGNMOS包括所述衬底，在所述衬底上设有源漏区，在所述源漏区中，间隔设有漏极和源极，多指状栅极设置于漏极和源极之间。

10.根据权利要求9所述的集成电路静电释放保护电路，其特征在于：在所述漏极和源极上分别设有用于静电传导的接点插头，在漏极的接点插头上连接用于与集成电路中的被保护电路进行连接的金属线。

11.一种集成电路静电释放保护电路的制造方法，包括在衬底上制备GGMOS的步骤，和在GGMOS周围的同一衬底中制备硅通孔的步骤。