[发明专利]用于非易失性存储器的经修改读取操作

说明书

技术领域

本文中所揭示的标的物涉及一种用于非易失性存储器的读取操作过程。

背景技术

存储器装置用于许多类型的电子装置中，例如计算机、蜂窝电话、PDA、数据记录器及导航设备，此处仅列举几个实例。在此类电子装置当中，可采用各种类型的非易失性存储器装置，例如NAND或NOR快闪存储器及相变存储器，此处仅列举几个实例。与非易失性存储器相比，易失性存储器通常可被认为具有缺陷，这是因为如果中断所述易失性存储器的电力，那么易失性存储器可不保持所存储信息。尽管存在此可能缺点，但例如SRAM或DRAM(举例来说)的易失性存储器通常能够比非易失性存储器更快地处理编程/读取/擦除操作。因此，如果存储器速度是相对重要考虑因素，那么易失性存储器可替代非易失性存储器而经选择用于在电子装置中使用。因此，通常期望改进非易失性存储器的速度以使得非易失性存储器可变得与易失性存储器越来越有竞争性。

附图说明

将参考以下各图描述非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有说明，否则所有各图中相似参考编号指代相似部件。

图1是根据一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。图2是根据另一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。

图3是根据一实施例的存储器装置的一部分的示意性框图。

图4展示根据一实施例的对存储器装置的不同读取存取操作的时序图。

图5是根据另一实施例的存储器装置的一部分的示意性框图。

图6是根据又一实施例的对存储器装置的读取存取的时序图。

图7是根据一实施例的计算系统及存储器装置的示意图。

具体实施方式

此说明书通篇所提及的“一项实施例”或“一实施例”意指结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在所主张的标的物的至少一项实施例中。因此，在此说明书通篇中的各个地方出现的短语“在一项实施例中”或“一实施例”未必全部指代同一实施例。此外，可将所述特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施例中。

本文中所描述的实施例包含减少例如相变存储器(PCM)(举例来说)的非易失性存储器装置的存储器存取时间的技术。一个此技术可涉及通过修改执行标准读取存取的特定部分的顺序次序来修改所述标准读取存取。举例来说，可在预活动阶段中而非读取存取的启动阶段中执行此类特定部分，如下文详细描述。在实施方案中，此标准读取存取可描述于若干公开案中，例如(举例来说)所属领域的技术人员所熟知的联合电子装置工程会议(JEDEC)标准公开案(参见2010年2月的低功率双倍数据速率2(LPDDR2)，JESD209-2B，举例来说)。尽管其它公开案及/或标准可描述标准读取过程，但在下文中此标准读取过程将称为“LPDDR2标准”。除别的以外，LPDDR2标准陈述与存储器装置相关联的若干命令，例如预活动命令、启动命令、读取命令及写入命令，此处仅列举几个实例。举例来说，此类命令详细描述于LPDDR2标准，章节2.11.1中。在从存储器装置读取的过程的特定实施方案中，预活动命令可包含将行地址的至少一部分写入到行地址缓冲器的过程。在完成预活动命令之后，举例来说，启动命令可以列地址写入过程、行解码选择过程以及列解码选择及位线预充电过程开始。在完成此启动命令之后，存储器控制器可即刻起始读取命令。在特定实施方案中，可替代地在预主动命令期间执行在启动命令期间出现(如JEDEC标准所规定)的列解码选择及位线预充电过程。由于所述列解码选择及位线预充电过程包括读取存取的内部感测时间的关联最大促成因素中的一者，因此对过程次序的重新布置可导致存储器存取时间减少，如下文更详细描述。尽管此重新布置可导致时间增加以执行预活动阶段，但在读取存取期间启动阶段(具有缩短的持续时间)可比预活动阶段出现得相对更频繁。因此，即使延长预活动阶段，执行读取存取的时间的净减少也可由缩短启动阶段引起。举例来说，如果多个读取存取操作涉及用以存取存储器阵列的特定部分(例如，存取对于特定行群组来说是局部的)的地址，那么单个预活动命令可适用于所有此类读取存取操作。因此，可通过缩短执行读取存取中包含的一个或一个以上启动命令所花费的时间来缩短读取存取的持续时间。即使执行预活动命令所花费的时间可响应于经缩短的启动命令而增加，情况也可能如此。