[发明专利]用于非易失性存储器的经修改读取操作

权利要求书

1.一种方法，其包括：

通过以下操作来执行读取操作以存取存储器阵列：

执行预活动命令，其包含行地址写入操作及原本指派给启动命令的至少一个操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述原本指派给所述启动命令的至少一个操作包括位线预充电及列选择操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述启动命令不包含位线预充电及列选择操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在位线预充电及列选择操作之后执行所述启动命令。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

重新布置内部存储器地址的地址位次序；及

在所述行地址写入操作中并入所述内部存储器地址。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

给第一存储器地址提供所述预活动命令；

在位线预充电及列选择操作中并入所述第一存储器地址；

给第二存储器地址提供所述启动命令；及

在行选择操作中并入所述第二存储器地址。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器阵列包括低功率双倍数据速率(LPDDR2)存储器阵列。

8.一种存储器装置，其包括：

存储器控制器，其用以执行用于存取存储器阵列的读取操作，所述存储器控制器进一步适于执行预活动命令，其包含行地址写入操作及指派给启动命令的至少一个操作。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述指派给所述启动命令的至少一个操作包括位线预充电及列选择操作。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述启动命令不包含位线预充电及列选择操作。

11.根据权利要求8所述的存储器装置，所述存储器控制器进一步适于在位线预充电及列选择操作之后执行所述启动命令。

12.根据权利要求8所述的存储器装置，所述存储器控制器进一步适于：

重新布置内部存储器地址的地址位次序；及

在所述行地址写入操作中并入所述内部存储器地址。

13.根据权利要求8所述的存储器装置，所述存储器控制器进一步适于：

给第一存储器地址提供所述预活动命令；

在位线预充电及列选择操作中并入所述第一存储器地址；

给第二存储器地址提供所述启动命令；及

在行选择操作中并入所述第二存储器地址。

14.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述存储器阵列包括低功率双倍数据速率(LPDDR2)存储器阵列。

15.一种系统，其包括：

存储器装置，其包括存储器单元阵列，所述存储器装置进一步包括存储器控制器，所述存储器控制器用以：

执行读取操作以存取所述存储器单元；及

执行预活动命令，其包含行地址写入操作及指派给启动命令的至少一个操作；及

处理器，其用以托管一个或一个以上应用程序且用以起始给所述存储器控制器的所述读取命令以提供对所述存储器装置中的所述存储器单元的存取。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述指派给所述启动命令的至少一个操作包括位线预充电及列选择操作。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述启动命令不包含位线预充电及列选择操作。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器控制器适于在位线预充电及列选择操作之后执行所述启动命令。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器控制器适于：

重新布置内部存储器地址的地址位次序；及

在所述行地址写入操作中并入所述内部存储器地址。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述存储器控制器适于：

给第一存储器地址提供所述预活动命令；

在位线预充电及列选择操作中并入所述第一存储器地址；

给第二存储器地址提供所述启动命令；及

在行选择操作中并入所述第二存储器地址。