[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法有效
| 申请号： | 201110258718.7 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102306691A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 韩杰;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 发光 效率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高发光二极管发光效率的方法，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底(1)，低温缓冲层(2)，高温缓冲层(3)，N型层(4)，N型层(5)，N型层(6)，N型层(7)，发光层(8)，P型层(9)，P型层(10)，P型层(11)；其特征在于：发光层中采用具有不同厚度的垒层来提高发光效率：靠近N型层一侧的垒层厚度为15nm到25nm，而靠近P型层一侧的垒层的厚度在5到15nm；垒层的生长厚度介于5nm至20nm之间，生长温度介于800℃至1050℃之间，V/III摩尔比介于1000至20000之间。
2.如权利要求1所述提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：发光层中，垒层的结构可以是AlxInyGa1-x-yN 0≤x＜1，0≤y＜1，x+y＜1。
3.如权利要求1或2所述提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：发光层中间X个垒层的厚度较厚，其余Y个垒层的厚度较薄，且中间X个垒层的厚度大于其余Y个垒层的厚度。
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