[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1导电型的第1半导体层；

多个第2导电型的基区，设置在上述第1半导体层的表面；

第1导电型的源区，选择性地设置在上述基区的各自的表面；

栅电极，在从上述源区的表面贯通上述基区而到达上述第1半导体层的一对沟槽内，隔着栅绝缘膜分别设置；

场板电极，在上述一对沟槽内，在上述栅电极之下隔着场板绝缘膜分别设置；

第1主电极，电连接于上述第1半导体层；及

第2主电极，电连接于上述源区；

上述场板绝缘膜的一部分的厚度比上述栅绝缘膜的厚度厚；

在上述一对沟槽内分别设置的上述场板绝缘膜的上述一部分彼此之间的上述第1半导体层的宽度，比在上述一对沟槽内分别设置的上述栅绝缘膜彼此之间的上述基区的宽度窄；

在上述第1半导体层和上述场板绝缘膜的上述一部分之间的界面的正上方未形成上述源区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还在上述基区的表面选择性地设有第2导电型的接触区；

上述接触区连接于上述源区；

上述接触区的杂质浓度高于上述基区的杂质浓度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述接触区的下端和上述第1半导体层的背面之间的距离，比上述源区的下端和上述第1半导体层的上述背面之间的距离短。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述接触区贯通上述基区，上述接触区的上述下端与上述第1半导体层相接。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述第1半导体层和上述场板绝缘膜的上述一部分之间的界面的正上方，形成有上述接触区。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述第1半导体层和上述第1主电极之间设有第2导电型的第2半导体层。

7.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第1导电型的第1半导体层；

导电层，分别设置于从上述第1半导体层的表面到内部设置的一对沟槽内；

场板电极，在上述一对沟槽内，在上述导电层之下隔着场板绝缘膜分别设置；

第1主电极，在上述第1半导体层的背面侧，电连接于上述第1半导体层；及

第2主电极，在上述第1半导体层的表面侧，电连接于上述第1半导体层及上述导电层；

在上述一对沟槽内分别设置的上述场板绝缘膜的一部分彼此之间的上述第1半导体层的宽度，比在上述一对沟槽内分别设置的上述导电层彼此之间的上述第1半导体层的宽度窄。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

还在上述第1半导体层的表面设有第2导电型的第3半导体层；

上述第3半导体层连接于上述导电层及上述第2主电极。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

在上述导电层和上述第1半导体层之间设有绝缘膜；

上述场板绝缘膜的上述一部分的厚度比上述绝缘膜的厚度厚。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

在上述一对沟槽内分别设置的上述场板绝缘膜的上述一部分彼此之间的上述第1半导体层的宽度，比在上述一对沟槽内分别设置的上述绝缘膜彼此之间的上述第1半导体层的宽度窄。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

还在上述第1半导体层的表面夹着上述绝缘膜设有第2导电型的第3半导体层；

上述第3半导体层连接于上述第2主电极。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

还在上述第1半导体层和上述第2主电极之间设有第2导电型的第4半导体层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

上述第4半导体层的杂质浓度低于上述第3半导体层的杂质浓度。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

还在上述第4半导体层和上述第2主电极之间设有第2导电型的第5半导体层，上述第5半导体层的杂质浓度高于上述第3半导体层的杂质浓度。