[发明专利]提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法

权利要求书

1.一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，包括如下步骤：

提供第一硅片，在第一硅片上制备氧埋层；

在第一硅片上键合第二硅片，制备绝缘体上硅硅片；

在制备绝缘体上硅器件之前，对绝缘体上硅硅片进行预处理，将氮离子注入到绝缘体上硅硅片的氧埋层，通过退火工艺，激活注入的氮离子，在氧埋层和衬底界面之间形成悬挂键；

在经过处理的绝缘体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元。

2.根据权利要求1所述的提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，其特征在于：采用注入方法将氮离子注入到氧埋层。

3.根据权利要求2所述的提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，其特征在于：所述注入方法的氮离子能量范围为80～300keV、氮离子注入剂量范围为10¹⁴～10¹⁶/cm²。

4.根据权利要求1所述的提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，其特征在于：所述退火工艺的温度范围为500℃～800℃。

5.根据权利要求1所述的提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，其特征在于：在绝缘体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元的步骤包括在衬底内形成浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离之间的衬底区域上方形成栅极、栅极侧墙、源极和漏极。