[发明专利]浅沟槽隔离结构制造方法无效
| 申请号： | 201110255766.0 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969265A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 方精训;邓镭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成衬垫氧化硅和衬垫氮化硅，并刻蚀所述衬垫氧化硅、衬垫氮化硅和部分半导体衬底，形成隔离沟槽；
利用热氧化法在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氧化硅保护层；
形成自平坦填充物以填充所述隔离沟槽并覆盖氧化硅保护层的表面；
利用干法刻蚀工艺去除衬垫氮化硅上的自平坦填充物以及氧化硅保护层；
利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的自平坦填充物；
在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氮化硅保护层；
形成氧化硅填充层以填充隔离沟槽并覆盖氮化硅保护层的表面；
利用化学机械抛光工艺去除氮化硅保护层上的氧化硅填充层；
利用湿法刻蚀工艺依次去除氮化硅保护层、衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，直至暴露所述半导体衬底的表面。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，所述自平坦填充物为光刻胶或抗反射层材料。
3.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，利用旋涂的方式形成所述自平坦填充物。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺对氧化硅和氮化硅的刻蚀速率比为2∶1～50∶1
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体为C4F6和O2，所述C4F6和O2的气体比例为10∶1～1∶10，所述C4F6的气体流量为1sccm～100sccm，所述O2的气体流量为1sccm～100sccm，腔室压力为1mtorr～100mtorr。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用SPM溶液去除所述隔离沟槽内的自平坦填充物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
