[发明专利]形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法

权利要求书

1.一种平坦化层间介质层的方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和侧墙，在所述伪栅极上形成被氧化的多晶硅层；

形成层间介质层，覆盖所述基底、伪栅极结构以及被氧化的多晶硅层；

以所述被氧化的多晶硅层为研磨停止层对所述层间介质层进行化学机械抛光以平坦化层间介质层。

2.如权利要求1所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述伪栅极为多晶硅伪栅极；所述在所述基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和侧墙，在所述伪栅极上形成被氧化的多晶硅层包括：

在所述基底上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层的表面形成被氧化的多晶硅层；

图形化所述被氧化的多晶硅层、多晶硅层，形成伪栅极以及伪栅极上被氧化的多晶硅层；

在所述伪栅极周围形成侧墙。

3.如权利要求2所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，在所述多晶硅层的表面形成被氧化的多晶硅层的方法为：在温度为700℃～800℃的范围内，在H₂O蒸气氛围内对所述多晶硅层进行热氧化，在多晶硅层的表面形成被氧化的多晶硅层。

4.如权利要求2所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述图形化所述被氧化的多晶硅层、多晶硅层，形成伪栅极以及伪栅极上被氧化的多晶硅层；在所述伪栅极周围形成侧墙包括：

在所述被氧化的多晶硅层上形成硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成图形化的光刻胶层，定义出伪栅极的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀硬掩膜层、被氧化的多晶硅层、多晶硅层，形成伪栅极以及伪栅极上被氧化的多晶硅层、硬掩膜层；

去除所述图形化的光刻胶层；

形成介质层，覆盖所述伪栅极、伪栅极上被氧化的多晶硅层、硬掩膜层以及基底；

回刻所述介质层，去除基底上以及硬掩膜层上的介质层，在伪栅极周围形成侧墙。

5.如权利要求4所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括位于所述被氧化的多晶硅层上的氧化硅层、位于所述氧化硅层上的氮化硅层。

6.如权利要求5所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，回刻所述介质层时，也去除了伪栅极上方的部分或全部氮化硅层。

7.如权利要求4所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述介质层为单层结构或叠层结构。

8.如权利要求7所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层，或者所述介质层为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构。

9.如权利要求1所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，在所述基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和侧墙，在所述伪栅极上形成被氧化的多晶硅层之后，形成层间介质层，覆盖所述基底、伪栅极结构以及被氧化的多晶硅层之前还包括：

形成刻蚀阻挡层，覆盖所述基底、伪栅极结构以及被氧化的多晶硅层；

去除形成在伪栅极上的刻蚀阻挡层。

10.如权利要求9所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。

11.如权利要求10所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，形成刻蚀阻挡层的方法为化学气相沉积。

12.如权利要求9所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，去除形成在伪栅极上的刻蚀阻挡层的方法为光刻、干法刻蚀。

13.如权利要求1所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。

14.如权利要求13所述的平坦化层间介质层的方法，其特征在于，形成层间介质层的方法为化学气相沉积。

15.一种形成栅极的方法，其特征在于，包括：

用权利要求1～14任一项所述的方法形成平坦化的层间介质层；

去除所述伪栅极和伪栅极上被氧化的多晶硅层，形成伪栅极沟槽；

在所述伪栅极沟槽内填充导电材料，以形成栅极。

16.如权利要求15所述的形成栅极的方法，其特征在于，在所述伪栅极沟槽内填充导电材料后，还包括对导电材料进行平坦化，去除高出伪栅极沟槽的导电材料。