[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的绝缘层和绝缘层上的填充层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟槽之间势垒金属层，设于第一半导体层之上势垒金属层之外的氧化层，以及设于第一半导体层之上第二金属电极，所述的沟槽深度为2um至7um。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括设于第一半导体层和第一金属电极之间的第二半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的沟槽宽度为5um至30um。

4.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽中的绝缘层为二氧化硅层或氮化硅层；沟槽中的填充层为多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的沟槽中填充的二氧化硅层或氮化硅层的厚度为1um至2um。

6.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的沟槽的拐角处为弧形。

7.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

   （a）在第一半导体层上形成氧化层；

   （b）在氧化层上形成光刻胶层；

   （c）定义出沟槽窗口，在第一半导体层中形成深度为2um至7um相互隔开的第一沟槽和第二沟槽；

   （d）去除光刻胶，在沟槽中形成绝缘层；

   （e）在第一半导体层上表面形成多晶硅层，去除沟槽区域外的多晶硅层；

   （f）在第一半导体层上定义出势垒区，在势垒区上形成势垒金属层；

   （g）在第一半导体层背面和正面形成金属电极。

8.根据权利要求7所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，还包括一下步骤：

（a）在第二半导体层上形成第一半导体层，

（b）在第一半导体层上形成氧化层；

   （c）在氧化层上形成光刻胶层；

   （d）定义出沟槽窗口，在第一半导体层中形成2um至7um相互隔开的第一沟槽和第二沟槽；

   （e）去除光刻胶，在沟槽中形成绝缘层；

   （f）在第一半导体层上表面形成多晶硅层，去除沟槽区域外的多晶硅层；

   （g）在第一半导体层上定义出势垒区，在势垒区上形成势垒金属层；

   （h）在第二半导体层的背面和第一半导体层的正面形成金属电极。

9.根据权利要求7或8所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述的沟槽宽度为5um至30um。

10.根据权利要求7或8所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述的沟槽中的绝缘层厚度为1um至2um。

11.根据权利要求7或8所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述的沟槽的拐角处为弧形。