[发明专利]功率器件和封装该功率器件的方法在审
申请号: | 201110253157.1 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102956509A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 姚晋钟;白志刚;徐雪松 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 封装 方法 | ||
1.一种封装集成电路的方法,包括以下步骤:
提供双规引线框的第一引线框,所述第一引线框包括厚管芯焊盘;
将载带附接到所述厚管芯焊盘的第一侧;
将功率半导体管芯附接到所述厚管芯焊盘的第二侧;
提供双规引线框的第二引线框,所述第二引线框包括多个薄引线指;
利用导电粘合剂将所述引线指的第一端直接附接到所述功率半导体管芯的有源面上的键合焊盘,从而所述引线指与所述半导体管芯的键合焊盘接触并且电连接;以及
将模塑料分配到所述双规引线框的顶面上,使得所述模塑料覆盖所述半导体管芯和所述引线指。
2.如权利要求1的封装集成电路的方法,还包括将功率半导体管芯的所述键合焊盘以键合丝线电连接到第二管芯的键合焊盘。
3.如权利要求1的封装集成电路的方法,还包括从所述管芯焊盘去除所述载带,其中在去除所述载带之后所述引线指的第二端被暴露。
4.如权利要求1的封装集成电路的方法,其中所述管芯焊盘的厚度实质上大于所述引线指的厚度。
5.如权利要求4的封装集成电路的方法,其中所述管芯焊盘的所述厚度大约为30密耳,并且所述引线指的所述厚度大约为10密耳。
6.如权利要求1的封装集成电路的方法,其中所述引线指被弯曲以形成Z字形。
7.一种封装功率器件,包括:
具有厚管芯焊盘的功率框;
附接到所述厚管芯焊盘的功率半导体管芯;
具有厚引线指的引线框,其中所述引线框的厚度小于所述功率框的厚度,并且其中所述引线指的每一个的一端被以导电粘合剂附接到所述功率半导体管芯的有源面上的键合焊盘;以及
覆盖所述功率框、所述引线框和所述功率半导体管芯的模塑料。
8.如权利要求7的封装功率器件,其中所述功率框的所述厚度大约为30密耳,并且所述引线框的所述厚度大约为10密耳。
9.如权利要求7的封装功率器件,其中所述引线指被弯曲以形成Z字形。
10.如权利要求7的封装功率器件,还包括第二管芯,所述第二管芯被附接到所述引线框的管芯焊盘,并且被定位为与所述功率半导体管芯和功率框相邻,其中所述第二管芯的管芯键合焊盘被以丝线电连接到所述引线框的小引线指和所述功率半导体管芯的管芯键合焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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