[发明专利]垂直式二极管元件及二极管阵列

权利要求书

1.一种垂直式二极管元件，其特征在于，包括：

一具有一第一导电型的一基底；

一埋入式金属线，配置于该基底中；

一绝缘层，配置于该基底与该埋入式金属线之间，且曝露该埋入式金属线的一侧壁的一部分；

一接点，配置于该基底中，且位于该埋入式金属线的经该绝缘层曝露的该侧壁的该部分上；

具有一第二导电型的一第一掺杂区，配置于该基底中且位于该埋入式金属线的一侧，其中该第一掺杂区与该接点接触，且该接点的阻值低于该第一掺杂区的阻值；以及

具有该第一导电型的一第二掺杂区，配置于该第一掺杂区中，其中该第二掺杂区未与该接点接触。

2.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该第二掺杂区的中心位于该第一掺杂区的中线上。

3.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该第二掺杂区的中心位于该第一掺杂区的中线的远离该接点的一侧。

4.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该接点的材料包括金属硅化物。

5.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该接点的上端低于该基底的表面，且该接点的下端高于该第一掺杂区的底面。

6.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该埋入式金属线包括：

一下部金属线，包括一第一金属层与位于该第一金属层的侧壁与底部的一第一阻障层；以及

一上部金属线，位于该下部金属线上且包括一第二金属层与位于该第二金属层的侧壁与底部的一第二阻障层，

其中该接点位于该第二阻障层与该第一掺杂区之间。

7.如权利要求6所述的垂直式二极管元件，其特征在于，还包括一顶覆层，配置于该基底中且位于该上部金属线上。

8.如权利要求6所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层的材料包括钨，且该第一阻障层与该第二阻障层的材料包括钛/氮化钛。

9.如权利要求1所述的垂直式二极管元件，其特征在于，该第一导电型为N型，该第二导电型为P型；或该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

10.一种二极管阵列，其特征在于，包括：

一基底；

多条埋入式金属线，配置于该基底中；

多个条状的第一掺杂区，分别配置于所述多个埋入式金属线之间的该基底中；

多个绝缘层，分别配置于所述多个第一掺杂区与所述多个埋入式金属线之间，其中各绝缘层曝露对应的埋入式金属线的一侧壁的多个部份，且所述多个第一掺杂区的底部要高于所述多个绝缘层的底部；

多个接点，配置于该基底中，其中各埋入式金属线的经对应的绝缘层曝露的该侧壁的每个部份上配置有一个接点；

多个块状的第二掺杂区，分别对应所述多个接点而配置于所述多个第一掺杂区中，且所述多个第二掺杂区未与所述多个接点接触，

其中所述多个第一掺杂区的导电型不同于所述多个第二掺杂区的导电型，且所述多个接点的阻值低于所述多个第一掺杂区的阻值。

11.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，各第二掺杂区的中心位于对应的第一掺杂区的中线上。

12.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，各第二掺杂区的中心位于对应的第一掺杂区的中线的远离该接点的一侧。

13.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，所述多个接点的材料包括金属硅化物。

14.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，位于各埋入式金属线的经对应的绝缘层曝露的该侧壁的多个部份上的所述多个接点彼此分开。

15.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，位于各埋入式金属线的经对应的绝缘层曝露的该侧壁的多个部份上的所述多个接点彼此连接。

16.如权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，所述多个接点的上端低于该基底的表面，且所述多个接点的下端高于所述多个第一掺杂区的底面。