[发明专利]以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层

权利要求书

1.一种用于在半导体衬底之上形成非易失性存储器(NVM)的栅极叠层的方法，所述半导体衬底具有NVM区和不与所述NVM区重叠的非NVM区，所述方法包括以下步骤：

在所述NVM区和所述非NVM区内的所述衬底之上形成选择栅极层；

同时地蚀刻所述NVM区内的所述选择栅极层和所述非NVM区内的所述选择栅极层，其中对所述NVM区内的所述选择栅极层的所述蚀刻产生所述选择栅极层的保留于所述NVM区内的第一部分；

在所述NVM区和所述非NVM区内的所述衬底之上形成电荷存储层，其中所述电荷存储层形成于所述选择栅极层的所述第一部分之上；

在所述NVM区和所述非NVM区内的所述电荷存储层之上形成控制栅极层；

同时地蚀刻在所述NVM区和所述非NVM区内的所述控制栅极层；

同时地蚀刻在所述NVM区和所述非NVM区内的所述电荷存储层，其中对所述NVM区内的所述选择栅极层的所述蚀刻产生所述电荷存储层的在所述选择栅极层的所述第一部分之上并叠盖所述选择栅极层的所述第一部分的侧壁的部分，并且产生所述控制栅极层的在所述电荷存储层的所述部分之上的部分；以及

使用所述选择栅极层的所述第一部分、所述电荷存储层的所述部分和所述控制栅极层的所述部分来形成分裂栅极器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非NVM区内的所述选择栅极层形成于铺砌部件之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述非NVM区内的所述选择栅极层形成于有源电路部件之上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述非NVM区内的所述选择栅极层的步骤产生所述选择栅极层的保留于所述非NVM区内的第二部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二部分的特征还在于是伪部件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中蚀刻所述非NVM区内的所述电荷存储层和所述控制栅极层的步骤被执行使得所述伪部件的顶表面被暴露。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二部分的特征还在于是有源电路部件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中同时地蚀刻所述NVM区内的所述选择栅极层和所述非NVM区内的所述选择栅极层的步骤被执行使得所述选择栅极完全从所述非NVM区去除。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括逻辑区，并且其中：

形成所述选择栅极层的步骤被执行使得所述选择栅极层形成于所述逻辑区内的所述衬底之上，

形成所述电荷存储层的步骤被执行使得所述电荷存储层形成于所述逻辑区内的所述选择栅极层之上，以及

形成所述控制栅极层的步骤被执行使得所述控制栅极层形成于所述逻辑区内的所述电荷存储层之上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中同时地蚀刻所述NVM区内的所述选择栅极层和所述非NVM区内的所述选择栅极层的步骤不蚀刻在所述逻辑区内的所述选择栅极层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

同时地蚀刻所述控制栅极层的步骤被执行使得所述控制栅极层从所述逻辑区去除，以及

同时地蚀刻所述电荷存储层的步骤被执行使得所述电荷存储层从所述逻辑区去除。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述同时地蚀刻所述电荷存储层的步骤之后，图形化所述逻辑区内的所述选择栅极层以形成逻辑器件栅极。