[发明专利]一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法有效
| 申请号： | 201110250276.1 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446858A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 动态 随机 存储器 单元 性能 栅氧预 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，在硅衬底中形成有有源区，其特征在于：在该硅衬底上沉积栅氧化物层之前，利用清洗液对该硅衬底的表面进行清洗处理，以增加后续栅氧化物层形成后硅衬底表面的硅与栅氧化物层两者的界面处的缺陷。
2.如权利要求1所述一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，利用清洗液对该硅衬底的表面进行清洗处理之后，利用氢氟酸预清洗硅衬底的表面。
3.如权利要求1所述一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，利用清洗液对该硅衬底的表面进行清洗处理持续时间15~120秒。
4.如权利要求1-3任何一项权利要求所述一种提高浮体动态随机存储器单元性能的栅氧预清洗方法，所述清洗液为含有NH4OH、H2O2、H2O的混合清洗液，该溶液为SC1清洗液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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