[发明专利]四方扁平无引脚封装体及其制造方法无效
申请号: | 201110248378.X | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN102290358A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 高洪涛;张元发;张江元 | 申请(专利权)人: | 上海凯虹电子有限公司;上海凯虹科技电子有限公司;达迩科技(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201612 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 四方 扁平 引脚 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件封装测试领域,尤其涉及一种四方扁平无引脚封装体及其制造方法。
背景技术
在日常生活中,消费者对诸如个人电话、个人数字助理以及音乐播放器的可靠性、体积以及价格都要求越来越高。例如,消费者需要他们的个人电话超薄并且可靠。这需要封装后的器件体积更小、缺陷更少。另外,这些对外型小巧的需求还可能需要具有从封装结构中向外散热的电子元件。
四方扁平无引脚封装是现有技术中一种常见的封装方法。该方法是采用一个引线框架和一个晶粒的标准封装方法。附图1所示是现有技术中一种典型的四角扁平无引脚封装结构的剖面示意图,包括芯片10、芯片托盘11、片式电极121和122、金属引线131和132以及塑封体14。芯片10被固定在芯片托盘11上,并通过金属引线131和132与片式电极121和122电学连接,塑封体14将上述结构密封,并暴露出芯片托盘11、片式电极121和122,以同外界形成电学连接。所谓引脚封装,是指片式电极121和122以及其它所有的片式电极均嵌入至塑封体14中,并无其它类型封装结构中有突出在外的引脚。
附图1所示的现有技术的缺点在于,片式电极很容易从塑封体中脱出,尤其是在芯片工作时由于温度变化而造成片式电极和塑封体之间由于热膨胀系数不同而发生形变的情况下,这种显现尤为明显,并且由于芯片托盘和片式电极等与塑封体的热胀系数不匹配会导致严重的热应力残留问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种四方扁平无引脚封装体及其制造方法,能够避免封装体中的片式电极从塑封体中脱出。
为了解决上述问题,本发明提供了一种四方扁平无引脚封装体的制造方法,包括如下步骤:提供母板;在母板的上表面形成铸模层:在铸模层表面形成贯穿至母板上表面的通孔,所述通孔靠近母板上表面一侧的开口面积小于另一侧开口的面积;在通孔中形成芯片托盘和片式电极;将芯片固定于芯片托盘的表面;在芯片和片式电极之间形成电学引线;在母板的上表面形成塑封体;移除母板,以暴露出嵌入至塑封体中的芯片托盘和片式电极。
本发明进一步提供了一种四方扁平无引脚封装体,包括芯片、芯片托盘、片式电极、金属引线以及塑封体;芯片置于芯片托盘的一表面上,并通过金属引线与片式电极电学连接,塑封体将上述芯片、芯片托盘、金属引线以及片式电极密封,并暴露出芯片托盘与设置有芯片的表面相对的另一表面,以及暴露出片式电极与设置有芯片的表面相对的另一表面;所述芯片托盘和片式电极暴露出来的表面的面积小于与之相对的另一表面的面积。
本发明的优点在于,通过形成上表面一侧的开口的面积小于另一侧开口的面积,即倒梯形横截面的通孔,并在通孔中制作芯片托盘和片式电极,从而在塑封之后获得了暴露出来的表面的面积小于与之相对的另一表面的面积的芯片托盘和片式电极,具有此种形状的芯片托盘和片式电极能够更好的固定在塑封体中,不至于脱落。
并且本发明所述工艺中由于片式电极是在铸模层冷却后打孔形成于通孔中的,故不存在热应力问题,因此能够降低整个封装体内的热应力。
并且本发明所述工艺的优点还在于采用铸模层作为支撑,省却了框架上的联筋结构,所以能够节约框架的成本。
附图说明
附图1所示是现有技术中一种典型的四角扁平无引脚封装结构的剖面示意图。
附图2所示是本发明所述方法具体实施方式的实施步骤示意图。
附图3A至附图3H所示是附图2所述方法的工艺示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的一种四方扁平无引脚封装体及其制造方法的具体实施方式做详细说明。
附图2所示是本发明所述方法具体实施方式的实施步骤示意图,包括如下步骤:步骤S20,提供母板;步骤S21,在母板的上表面形成铸模层:步骤S22,在铸模层表面形成贯穿至母板上表面的通孔;步骤S23,在通孔中形成芯片托盘和片式电极;步骤S24,将芯片固定于芯片托盘的表面;步骤S25,在芯片和片式电极之间形成电学引线;步骤S26,在母板的上表面形成塑封体;步骤S27,移除母板,以暴露出嵌入至塑封体中的芯片托盘和片式电极。
附图3A至附图3H所示是上述方法的工艺示意图。
附图3A所示,参考步骤S20,提供母板300。所述母板300的材料可以是包括铜、铝、铂以及金等金属在内的任意一种能够用于形成稳定支撑结构的材料,并优选为金属,尤其是铜,优选的原因在于金属可以在后续的电镀或者沉积工艺中作为种子层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造