[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201110248167.6 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956460A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王俞仁;孙德霖;赖思豪;陈柏均;林志勋;蔡哲男;林君玲;叶秋显 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 半导体 元件 制作方法 | ||
1.一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包括：
提供基底，该基底上形成有至少一第一半导体元件；
于该第一半导体元件内形成第一栅极沟槽；
于该第一栅极沟槽内形成第一功函数金属层；以及
对该第一功函数金属层进行分耦式等离子体氧化处理。
2.如权利要求1所述的制作方法，其中该分耦式等离子体氧化处理具有一第一工艺温度，且该第一工艺温度小于400℃。
3.如权利要求2所述的制作方法，其中该工艺温度介于室温与200℃之间。
4.如权利要求1所述的制作方法，其中该分耦式等离子体氧化处理还包括通入氮气或氩气的步骤。
5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一半导体元件为P型半导体元件。
6.如权利要求5所述的制作方法，还包括第二半导体元件，且该第二半导体元件为N型半导体元件。
7.如权利要求6所述的制作方法，还包括：
于该第二半导体元件内形成第二栅极沟槽；
于该第二栅极沟槽内形成第二功函数金属层；以及
对该第二功函数金属层进行分耦式等离子体氮化处理。
8.如权利要求7所述的制作方法，其中该分耦式等离子体氮化处理具有一第二工艺温度，且该第二工艺温度小于400℃。
9.如权利要求8所述的制作方法，其中该第二工艺温度介于室温与200℃之间。
10.如权利要求7所述的制作方法，其中该分耦式等离子体氧化处理还包括通入氮气或氩气的步骤。
11.如权利要求7所述的制作方法，还包括热处理，进行于该分耦式等离子体氮化处理之后。
12.如权利要求11所述的制作方法，其中该热处理的工艺温度低于400℃。
13.如权利要求7所述的制作方法，其中该第一功函数金属层形成于进行该分耦式等离子体氮化处理之后。
14.如权利要求7所述的制作方法，其中该第二功函数金属层形成于进行该分耦式等离子体氧化处理之后。
15.如权利要求7所述的制作方法，其中该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽同时形成。
16.如权利要求1所述的制作方法，还包括形成填充金属层的步骤，且该填充金属层至少填满该第一栅极沟槽。
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