[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110248064.X | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956631A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈信良;陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一第一掺杂区，具有一第一导电型；
一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；
一第三掺杂区，具有该第一导电型，其中该第一掺杂区与该第三掺杂区是通过该第二掺杂区互相分开；以及
一电阻，耦接于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间，其中一阳极被耦接至该第一掺杂区，一阴极被耦接至该第三掺杂区。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一位于该第二掺杂区上的场板结构，该场板结构包括一导电层，该导电层位于该第二掺杂区上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，更包括一介电结构，该介电结构包括一第一介电部分，位于该第二掺杂区与该场板结构之间。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该场板结构被耦接至该第二掺杂区。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该阴极被耦接至该场板结构。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第四掺杂区，具有该第二导电型，其中该第二掺杂区与该第四掺杂区是通过该第一掺杂区互相分开。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该阳极被耦接至该第四掺杂区。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第一掺杂区、该第二掺杂区与该第三掺杂区形成一第一BJT，该第四掺杂区、该第一掺杂区与该第二掺杂区形成一第二BJT，该第一BJT与该第二BJT其中之一为NPNBJT，另一为PNP BJT。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该第一BJT与该第二BJT电性并联。
10.一种半导体结构的制造方法，包括：
于一衬底中形成一第一掺杂区，具有一第一导电型；
于该衬底中形成一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；
于该第二掺杂区中形成一第三掺杂区，具有该第一导电型，其中该第一掺杂区与该第三掺杂区是通过该第二掺杂区互相分开；以及
于该第二掺杂区上形成一场板结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
