[发明专利]一种锗硅外延层生长方法

权利要求书

1.一种锗硅外延层生长方法，提供一具有硅衬底的晶片，所述硅衬底中具有PMOS的源极和漏极区域刻蚀的凹槽，其特征在于，该方法还包括，

所述晶片放入反应腔后，所述反应腔中通入含锗元素的反应气体的同时通入含碳气体，在所述源极和漏极区域的所述凹槽中选择性外延生长含碳的锗硅外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理晶片之后，所述选择性外延生长含碳的锗硅外延层之前，在所述源极和漏极区域的所述凹槽表面选择性外延生长锗硅种子层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性外延生长含碳的锗硅外延层之后，在所述含碳的锗硅外延层上生长硅盖层或锗硅盖层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含锗元素的反应气体是硅烷、锗烷、氯化氢气体乙和氢气组成的混合气体或者二氯硅烷、锗烷、氯化氢气体乙和氢气组成的混合气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅烷、二氯硅烷、锗烷和氯化氢气体分别的气体流量范围是1标况毫升每分到1000标况毫升每分；氢气的气体流量范围是0.1标况升每分到50标况升每分。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳气体是烷烃、氯代烃和碳氟化合物气体中的一种或任意组合；所述含碳气体的气体流量范围是1标况毫升每分到1000标况毫升每分。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述烷烃是甲烷；所述氯代烃是一氯甲烷、二氯甲烷和四氯甲烷中的一种或任意组合；所述碳氟化合物是四氟化碳。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应腔中的温度范围是600到800摄氏度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应腔中的压强范围是133.322帕到66.661千帕。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳的锗硅外延层中碳含量范围不大于5％。