[发明专利]制造栅极介电层的方法有效
| 申请号： | 201110243168.1 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102738221A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李威养;于雄飞;李达元;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 栅极 介电层 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，具有第一有源区域；
第一栅极结构，位于所述第一有源区域上方，其中，所述第一栅极结构包括：
第一界面层，具有凸型顶面；
第一高-k电介质，位于所述第一界面层上方；以及
第一栅电极，位于所述第一高-k电介质上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一界面层包含氟掺杂氧化硅或者氟掺杂氮氧化硅。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一界面层的氟浓度的原子百分比处于大约2％到8％的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸型顶面包括最高点，所述最高点朝着所述凸型顶面的边缘倾斜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一界面层的最小厚度与所述第一界面层的最大厚度的比例为0.5到0.7。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一高-k电介质包含氟掺杂高-k电介质。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述氟掺杂高-k电介质的氟浓度的原子百分比处于大约2％到8％的范围内。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述氟掺杂高-k电介质包含氟掺杂氧化铪。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括第二栅极结构，位于第二有源区域上方，其中，所述第二栅极结构包括：
第二界面层，具有凹型顶面；
第二高-k电介质，位于所述第二界面层上方；以及
第二栅电极，位于所述第二高-k电介质上方。
10.一种制造栅极介电层的方法，包括：
在衬底上方形成界面层；
在所述界面层上形成高-k电介质；以及
在所述高-k电介质和所述界面层上实施含氟等离子处理。
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