[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：

a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有覆盖层，所述覆盖层具有暴露所述半导体衬底的开口图案；

b）以所述覆盖层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成开口； 

c）在所述开口的内侧壁上形成侧墙对；

d）在所述开口内形成硅填充层，且所述硅填充层的上表面高于所述半导体衬底的上表面；

e）在所述硅填充层上形成牺牲层，所述牺牲层的底部与所述侧墙对的顶部之间的距离为预定距离； 

f）去除所述覆盖层；以及

g）在所述硅填充层的两侧形成硅材料层，且去除所述牺牲层，其中，所述硅材料层的上表面与所述硅填充层的上表面齐平。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述覆盖层的形成方法，包括：

在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和第一氮化物层；以及

对所述第一氧化物层和所述第一氮化物层进行刻蚀，以形成具有所述开口图案的所述覆盖层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙对的形成方法，包括：

采用热氧化法在所述开口的底部和内侧壁上形成热氧化层；以及去除位于所述开口的底部的热氧化层，以形成所述侧墙对。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化物。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层是采用热氧化法形成的。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙对的材料为氧化物或氮化物。

7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，去除所述覆盖层的方法，包括：

对所述第一氮化物层进行刻蚀；

对所述第一氧化层进行刻蚀。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅填充层和/或所述硅材料层是采用外延生长法形成的。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙对的高度为50-5000埃。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预定距离为50-2000埃。

11.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法在所述g）步骤之后还包括：

h）在所述g）步骤所获得的器件上形成栅极，所述栅极位于所述侧墙对的正上方，且所述栅极的宽度大于或等于所述侧墙对之间的最大距离。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述方法在所述h）步骤之后还包括：

i）在所述栅极两侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极，其中，所述侧墙对位于所述源极和所述漏极之间。

13.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的栅极，以及位于所述栅极两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极；

侧墙，所述侧墙位于所述半导体衬底中的所述源极和所述漏极之间。

14.如权利要求13所述的半导体器件结构，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化物或氮化物。

15.如权利要求13所述的半导体器件结构，其特征在于，所述侧墙为分别临近所述源极和所述漏极的侧墙对。

16.如权利要求13所述的半导体器件结构，其特征在于，所述侧墙的高度为50-5000埃。

17.如权利要求13所述的半导体器件结构，其特征在于，所述侧墙与半导体衬底表面之间的距离为50-2000埃。