[发明专利]半导体的制造方法

权利要求书

1.一种半导体的制造方法，其特征在于包括：

于蚀刻机台中提供基底，所述基底上形成有多个第一导体图案、阻障层以及图案化绝缘层，其中所述些第一导体图案之间具有多个第一开口，所述阻障层覆盖所述些第一导体图案的表面与所述些第一开口的表面，所述图案化绝缘层形成于所述些第一导体图案上且具有多个第二开口，所述些第二开口暴露出位于所述些第一导体图案的顶角上的所述阻障层，且各所述第二开口与对应的第一开口连通；

于所述阻障层上沉积第一聚合物层与第二聚合物层，其中所述第一聚合物层位于所述些第一导体图案的顶角上，所述第二聚合物层位于所述些第一开口的底部上，且所述第一聚合物层的厚度大于所述第二聚合物层的厚度；以及

进行蚀刻工艺，以移除位于所述些第一开口的底部上的所述第二聚合物层与所述阻障层。

2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述蚀刻工艺会同时移除位于所述些第一导体图案的顶角上的所述第一聚合物层。

3.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于进行所述蚀刻工艺后，还包括移除残留于所述些第一导体图案的顶角上的所述第一聚合物层。

4.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述蚀刻工艺实质上未蚀刻所述些第一导体图案的顶角上的所述阻障层。

5.根据权利要求4所述的半导体的制造方法，其特征在于所述些第一导体图案的顶角上的所述第一聚合物层的厚度介于1nm至5nm。

6.根据权利要求4所述的半导体的制造方法，其特征在于所述些第一导体图案的顶角上的所述阻障层的厚度介于5nm至15nm。

7.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述基底中还形成有多个第二导体图案，于进行所述蚀刻工艺后，各所述第一开口暴露出对应的第二导体图案。

8.根据权利要求7所述的半导体的制造方法，其特征在于进行所述蚀刻工艺后，还包括于各所述第一开口中形成接触插塞，所述接触插塞藉由所述阻障层与所述第一导体图案保持电性绝缘，且所述接触插塞与对应的所述第二导体图案电性连接。

9.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于沉积所述第一聚合物层与所述第二聚合物层时，将所述蚀刻机台的压力设定为50毫托至150毫托。

10.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于沉积所述第一聚合物层与所述第二聚合物层的方法包括使用氟化硅与氯化硅气体。

11.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述第一聚合物层与所述第二聚合物层的材料包括碳氢化合物。

12.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述阻障层的材料包括低压四乙氧基硅烷。

13.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述蚀刻工艺包括电浆蚀刻工艺。

14.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于所述蚀刻工艺包括使用含氟电浆。