[发明专利]有机发光二极管照明器件及其散热封装层以及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110237697.0 申请日: 2011-08-18
公开(公告)号: CN102299265A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 于军胜;陈珉;赵娟;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 杨保刚;徐丰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 照明 器件 及其 散热 封装 以及 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管照明器件的散热封装层,其特征在于,散热封装层(2)由具有高热导率的无机绝缘层(21)和导热金属层(22)交替周期性重叠构成。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的散热封装层,其特征是:所述具有高热导率的无机绝缘层(21)的材料为类金刚石、氮化铝、氮化硼、氮化硅、三氧化二铝或氧化镁,所述导热金属(22)的材料为银、铜、金或铝。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管的散热封装层,其特征是:所述无机绝缘层(21)与导热金属层(22)交替周期数为n,1≤n≤10。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管的散热封装层,其特征是:所述无机绝缘层(21)的厚度为50-500 nm,导热金属层(22)的厚度为50-500 nm。

5.一种采用权利要求1-4任一所述的散热封装层制备的有机发光二极管照明器件。

6.一种制备权利要求1-4任一所述散热封装层的方法,其特征是:所述的无机封装层(21)和导热金属层(22),采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀中的一种或者几种方式形成在有机发光二极管的金属阴极层(14)上。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管照明器件散热封装层的制备方法,其特征在于:在有机发光二极管的金属阴极层(14)上,依次制备无机绝缘层(21)和导热金属层(22),其中,所述无机绝缘层(21)的厚度为50-500 nm,导热金属层(22)的厚度为50-500 nm,无机绝缘层(21)和导热金属层(22)交替重叠的周期数为n,1≤n≤10。

8.一种制备权利要求5所述有机发光二极管照明器件的方法,其特征在于:所述的无机封装层(21)和导热金属层(22),采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀中的一种或者几种方式形成在有机发光二极管的金属阴极层(14)上,步骤如下:

依次制备有机发光二极管的各有机层,然后制备金属阴极;

在上述制备好的金属阴极层(14)上,依次制备无机绝缘层(21)和导热金属层(22),其中,所述无机绝缘层(21)的厚度为50-500 nm,导热金属层(22)的厚度为50-500 nm,无机绝缘层(21)和导热金属层(22)交替重叠的周期数为n,1≤n≤10;

测试封装后器件的寿命以及其他各项参数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110237697.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top