[发明专利]半导体功率模块

权利要求书

1.一种半导体功率模块，其特征在于，具有：

半导体元件，在表面形成有第一电极并且在背面形成有第二电极；

第一热导管，在一端侧规定配置有所述半导体元件的第一区域，并且，与在该第一区域配置的所述半导体元件的所述第一、第二电极中的一个电连接；

冷却片，配置于在所述第一热导管的另一端侧规定的第二区域；以及

第二热导管，与所述第一导热管夹持配置在所述第一热导管上的所述半导体元件以及所述冷却片，并且，与所述半导体元件的所述第一、第二电极中的另一个电连接。

2.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，

还具有第一绝缘板，该第一绝缘板在所述第一区域配置在所述半导体元件周边，对该半导体元件的配置位置进行限制，

所述第一绝缘板相对于所述第一或第二热导管被定位。

3.如权利要求2所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第一绝缘板以及所述第一、第二热导管还具有分别对应的第一嵌合部。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，

还具有第二、第三绝缘板，该第二、第三绝缘板在所述第二区域分别配置在所述冷却片与所述第一以及第二热导管之间，对所述冷却片的配置位置进行限制，

所述第二、第三绝缘板分别相对于所述第一以及第二热导管被定位。

5.如权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第二、第三绝缘板以及所述第一、第二热导管还具有分别对应的第二嵌合部。

6.如权利要求1～3、5中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，

还具有引导与所述半导体元件连接的中继端子的中继端子支架部，

所述中继端子支架部在所述第一区域的外端侧固定在所述第一或第二热导管上。

7.如权利要求6所述的半导体功率模块，其特征在于，

在具有在所述第一区域配置在所述半导体元件周边并且对该半导体元件的配置位置进行限制的第一绝缘板的情况下，所述中继端子支架部与所述第一绝缘板形成为一体。

8.如权利要求1～3、5、7中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第一、第二热导管在内部的空洞中具有制冷剂。

9.如权利要求1～3、5、7中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，

还具有壳体，该壳体配设在所述第一区域并且覆盖所述半导体元件以及所述第一、第二热导管，

所述半导体元件、所述第一、第二热导管以及所述壳体的组装体不利用导电性接合材料来实现。

10.如权利要求1～3、5、7中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，还具有：

其他的半导体元件以及其他的冷却片，配置在所述第二热导管上；

第三热导管，与所述第二导热管夹持所述其他的半导体元件以及所述其他的冷却片。

11.一种半导体功率模块，具有：

权利要求1～3、5、7中任一项所述的多个半导体功率模块；

连接件，将所述多个半导体功率模块连接为一体。

12.如权利要求1～3、5、7中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，

所述第一、第二热导管中的至少一个是具有从所述第一区域至所述第二区域倾斜的面的阶梯形状。