[发明专利]一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构

权利要求书

1.一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，一衬底上设置有栅极的半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：

对半导体器件进行斜角重掺杂离子注入工艺，于衬底中形成沟道、源极和漏极；其中，离子注入向漏极方向倾斜，漏极中的掺杂离子比源极中的掺杂离子更靠近沟道。

2.根据权利要求1所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，其特征在于，衬底侧壁设置有浅沟隔离槽。

3.根据权利要求2所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，其特征在于，位于浅沟隔离槽和衬底下方设置有氧埋层和底层硅，氧埋层覆盖底层硅，浅沟隔离槽和衬底覆盖氧埋层。

4.根据权利要求1所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，其特征在于，栅极与衬底之间设置有薄氧化层，侧墙覆盖栅极的侧壁及邻近栅极的部分衬底。

5.一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的结构，一衬底上设置有栅极，其特征在于，包括：

衬底上设置有经斜角重掺杂离子注入工艺制备的沟道、源极和漏极，源极和漏极位于沟道的两侧，衬底位于沟道和源、漏的下方；其中，漏极中的掺杂离子比源极中的掺杂离子更靠近沟道。

6.根据权利要求5所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的结构，其特征在于，衬底侧壁设置有浅沟隔离槽。

7.根据权利要求6所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的结构，其特征在于，位于浅沟隔离槽和衬底下方设置有氧埋层和底层硅，氧埋层覆盖底层硅，浅沟隔离槽和衬底覆盖氧埋层。

8.根据权利要求5所述的提高浮体动态随机存储器单元写入速度的结构，其特征在于，栅极与衬底之间设置有薄氧化层，侧墙覆盖栅极的侧壁及邻近栅极的部分衬底。