[发明专利]一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法无效

申请号：	201110235241.0	申请日：	2011-08-17
公开（公告）号：	CN102436133A	公开（公告）日：	2012-05-02
发明（设计）人：	何伟明;郑海昌	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	G03F1/38	分类号：	G03F1/38
代理公司：	上海新天专利代理有限公司 31213	代理人：	王敏杰
地址：	201210 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种用于防止模版应力传递图形移动方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断缩微，目前主流的集成电路制造已经进入了65nm甚至更小的阶段，整体工艺窗口越来越小，尤其是对准精度的要求更为苛求，而在生产中也发现光掩模版上的图形位置精度的偏差占整体工艺窗口余量的比重越来越大。

图1是光掩模版重修后光掩模版对比保护膜的图形位置对准标记量测值的示意图。如图1所示，光掩模版1重修后，靠近保护膜（pellicle）的图形外围光掩模版位置对准标记（registration）量测值D恶化较为严重，而图形内部光掩模版位置对准标记量测值d则在正常范围之内。

图2是在套刻结果正常条件下的器件对准结果的示意图。其中，21为有源区（active area），22为多晶硅（Poly），23为多晶硅与有源区的重叠区域（poly/active overlap area）。如图2所示，在实际晶圆生产过程中，套刻精度(overlay)正常的情况下，实际器件图形对准也会发生偏差，其原因是因为光掩模版重修会导致应力致使切割道上图形产生位置偏移，于是外围切割道上的套刻标记(overlay)与主图形之间会产生一定的偏差。

图3是在应力条件下切割道图形发生偏转的示意图。如图3所示，切割道31与内部器件图形32根据设计规则会存在一定的空旷区域（clear tone，chrome-free），而在光掩模版33制造或重修过程中，保护膜（pellicle）的安装或拆除会产生应力，当产生的应力传递到内部区域后，只会影响到切割道31(scribe lane)上的套刻量测结构(overlay mark)图形，从而使切割道31上的图形与内部器件图形产生位移差，导致套刻的量测无法实时监控到实际的图形对准精度。

发明内容

本发明公开了一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：一光掩膜版上覆盖一薄膜，在该薄膜上设置一器件图形区域，环绕器件图形区域，在薄膜上由内向外顺序依次设置切割道、图像铬保护圈和保护膜框架区域；

步骤S2：在位于保护膜框架区域与图像铬保护圈之间的薄膜上，环绕图像铬保护圈设置一闭合的应力阻挡环区域；

步骤S3：去除应力阻挡环区域中的薄膜至光掩膜版，形成闭合环状应力阻挡环。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，所述光掩膜版的基底材质为石英。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，所述薄膜的材质为铬或钼化硅。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，所述切割道为非透光切割道。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，所述切割道上至少设置一个套刻标记。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，步骤S1中，切割道环绕器件图形区域设置，图像铬保护圈环绕切割道设置，保护膜框架区域环绕图像铬保护圈设置。

上述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其中，应力阻挡环的环的宽度大于1nm。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，通过设置应力阻挡环，能有效降低光掩模版制造过程中或重修过程中外围图形区域产生的应力对主图形的影响。