[发明专利]一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法无效
| 申请号： | 201110235241.0 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102436133A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;郑海昌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 防止 模版 应力 传递 图形 移动 方法 | ||
1.一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：一光掩膜版上覆盖一薄膜，在该薄膜上设置一器件图形区域，环绕器件图形区域，在薄膜上由内向外顺序依次设置切割道、图像铬保护圈和保护膜框架区域；
步骤S2：在位于保护膜框架区域与图像铬保护圈之间的薄膜上，环绕图像铬保护圈设置一闭合的应力阻挡环区域；
步骤S3：去除应力阻挡环区域中的薄膜至光掩膜版，形成闭合环状应力阻挡环。
2.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，所述光掩膜版的基底材质为石英。
3.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，所述薄膜的材质为铬或钼化硅。
4.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，所述切割道为非透光切割道。
5.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，所述切割道上至少设置一个套刻标记。
6.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，步骤S1中，切割道环绕器件图形区域设置，图像铬保护圈环绕切割道设置，保护膜框架区域环绕图像铬保护圈设置。
7.根据权利要求1所述的用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法，其特征在于，应力阻挡环的环的宽度大于1nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110235241.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
