[发明专利]改性聚乙烯醇基膜及其制备方法和偏光片无效
申请号: | 201110234045.1 | 申请日: | 2011-08-16 |
公开(公告)号: | CN102432899A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 徐蕊;张维维;黄红青;黄俊杰;刘权;蔡荣茂;段惠芳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L29/04;C08K9/06;C08K3/36;G02B5/30;G02B1/10 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 聚乙烯醇 及其 制备 方法 偏光 | ||
技术领域
本发明涉及一种聚乙烯醇基膜,特别是涉及一种改性聚乙烯醇基膜、其制备方法和由所述改性聚乙烯醇基膜制得的偏光片。
背景技术
偏光片(polarizer)是LCD显示器中不可或缺的重要部件之一,它的作用就是将自然光转变成偏振光,配合液晶分子的扭转,来达到控制光线通过及色彩信号呈现的目的。目前,LCD常用的偏光片,大多是由高度取向的高聚物如聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)基膜作基材,用各类具有二向色性的染料进行染色,在一定的湿度和温度下进行延伸后,另在聚乙烯醇基膜的两侧各复合一层具有高光透过率、耐水性好又有一定机械强度的三醋酸纤维素(TAC)薄膜而复合制得的。与由有机二向色性染料得到的偏光片相比,碘系偏光片以其较广区域波长的偏光特性,高的光透过性和性价比,成为市场LCD偏光片的主流,但该偏光片对热和水的耐久性较差。随着液晶显示器件应用范围的扩大,对偏光片的耐久性提出了更高的要求。因此,对偏光片的PVA基膜进行改性,进而开发光学性能和耐久性优异的LCD偏光片是目前的技术难点。
碘系偏光片是由PVA基膜经过膨润、浸碘染色再单轴延伸后,另在PVA基膜两侧各复合一层TAC薄膜而复合得到的。PVA是一种线性高分子聚合物,在很长的分子链上均匀分布着许多强极性的-OH基团(如图1),故亲水性较强,耐水性和稳定性较差。而且碘分子的结构在高温高湿度下易于破坏,使碘系偏光片的耐湿热性能和机械性能不好,一般只能满足80℃×500Hr或60℃×90%RH×500Hr的测试条件,且容易发生卷曲、剥落现象,限制了其应用范围。
请参见图1,图1所示的是一现有碘系偏光片的PVA基膜的分子结构示意图,其中碘系偏光片的TAC保护膜并未被绘出,而PVA基膜的聚乙烯醇聚合物3表面均匀地分布着强极性亲水的-OH基团,而且碘分子2的结构在高温高湿下易于破坏,故该碘系偏光片的PVA基膜在高温高湿条件下的稳定性较差。
为了提高碘系偏光片的PVA基膜湿热耐久性,需要对PVA基膜进行改性或交联。目前,改善PVA基膜耐久性的常用方法是加入第二组分,即能与PVA中亲水性基团-OH交联的物质。例如,中国专利公开第1979231A号与第101281267A号均采用二元羧酸和硼酸来对PVA基膜进行交联处理,但是硼酸使得PVA基膜的韧性增加,在延伸过程中会限制PVA基膜的延伸倍率。也有人将二氧化硅(SiO2)用真空镀膜法、离子喷镀法喷镀在PVA基膜上,以提高PVA基膜的耐湿热特性,但此二氧化硅镀膜法成本较高,同时也会引起二氧化硅和PVA基膜的相容性差的问题。
因此,我们需要新型的PVA基膜,以期其具有较高的耐湿热性能和稳定性以及良好的机械性能,并能减少偏光片欠点不良的发生,同时还具有抗眩功能。
发明内容
本发明的第一个目的是提供一种改性聚乙烯醇基膜的制备方法。
为实现上述目的,本发明公开以下技术方案:一种改性聚乙烯醇基膜的制备方法,步骤包括:
(1)采用氟硅烷对纳米二氧化硅进行表面接枝改性,得到改性纳米二氧化硅粉末;
(2)在聚乙烯醇聚合物的水溶液中加入步骤(1)获得的改性纳米二氧化硅粉末,制备成聚乙烯醇聚合物复合溶液;
(3)将步骤(2)制备的聚乙烯醇聚合物复合溶液浇铸在铸塑基板的表面上,真空干燥恒重以得到改性聚乙烯醇基膜。
在本发明的一实施例中,所述改性聚乙烯醇基膜的制备方法,具体步骤包括:
(1)采用氟硅烷对纳米二氧化硅进行表面接枝改性:在圆底烧瓶中依次加入干燥的纳米二氧化硅粒子、无水乙醇、去离子水、氨水和氟硅烷;超声分散之后,高速搅拌;然后过滤沉淀,用无水乙醇反复洗涤;接着用甲苯抽提,用以除去未反应的氟硅烷;最后真空干燥至恒重,研磨得到改性纳米二氧化硅粉末;
(2)在聚乙烯醇聚合物的水溶液中加入步骤(1)制得的改性二氧化硅粉末和表面活性剂,室温下超声分散;然后高速搅拌,制备成聚乙烯醇聚合物复合溶液;
(3)将步骤(2)制得的聚乙烯醇聚合物复合溶液浇铸在铸塑基板的表面上,在80℃~90℃下真空干燥至恒重以得到改性聚乙烯醇基膜。
在本发明的一实施例中,步骤(1)中所述氟硅烷选自十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、四-甲基-(全氟己基乙基)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷中的一种或多种混合物。
在本发明的一实施例中,所述步骤(1)中的纳米二氧化硅纯度规格为分析纯,粒径介于35~45纳米(nm)之间。
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