[发明专利]改性聚乙烯醇基膜及其制备方法和偏光片无效
申请号: | 201110234045.1 | 申请日: | 2011-08-16 |
公开(公告)号: | CN102432899A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 徐蕊;张维维;黄红青;黄俊杰;刘权;蔡荣茂;段惠芳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L29/04;C08K9/06;C08K3/36;G02B5/30;G02B1/10 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 聚乙烯醇 及其 制备 方法 偏光 | ||
1.一种改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,制备步骤包括:
(1)采用氟硅烷对纳米二氧化硅进行表面接枝改性,以得到改性纳米二氧化硅粉末;
(2)在聚乙烯醇聚合物的水溶液中加入步骤(1)获得的改性纳米二氧化硅粉末,以制备成聚乙烯醇聚合物复合溶液;
(3)将步骤(2)制备的聚乙烯醇聚合物复合溶液浇铸在铸塑基板的表面上,以得到改性聚乙烯醇基膜。
2.如权利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的所述氟硅烷选自十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、四-甲基-(全氟己基乙基)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷中的一种或多种混合物。
3.如权利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的所述纳米二氧化硅的粒径介于35~45纳米之间。
4.如权利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,添加的所述氟硅烷的质量为所述纳米二氧化硅质量的33~40%。
5.如权利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,添加的所述改性二氧化硅粉末的质量为所述聚乙烯醇聚合物质量的4%~8%。
6.如权利要求1所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中还加入羧酸类阴离子型氟碳表面活性剂,其分子式为RF-CH2-COOH,其中R代表C6至C10的碳链。
7.如权利要求6所述的改性聚乙烯醇基膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,添加的所述表面活性剂的质量为所述聚乙烯醇聚合物质量的0.2%~0.3%。
8.一种改性聚乙烯醇基膜,其特征在于,所述改性聚乙烯醇基膜包括聚乙烯醇聚合物、纳米二氧化硅基团及氟硅烷基团,所述改性聚乙烯醇基膜具有下列通式:
其中A基团为氟硅烷基团;及B基团为纳米二氧化硅基团;
所述氟硅烷基团选自十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、四-甲基-(全氟己基乙基)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷中的一种或多种混合物。
9.如权利要求8所述的改性聚乙烯醇基膜,其特征在于,所述聚乙烯醇聚合物键结有碘分子,其中接有所述氟硅烷基团的纳米二氧化硅基团是包覆在所述聚乙烯醇聚合物及碘分子的外层。
10.一种改性聚乙烯醇基膜的偏光片,其特征在于,包括:
权利要求9所述的改性聚乙烯醇基膜;及
贴附在所述改性聚乙烯醇基膜的一个或两个表面上的保护膜。
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