[发明专利]一种芯片故障检测方法及装置

权利要求书

1.一种芯片故障检测方法，其特征在于，包括：

在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；

检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；

当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，具体包括：

第一比较器的负极输入端接收在确定出的该检测点处对应的供电电压值，正极输入端接收所述待检测芯片的实际供电电压值；

第二比较器的负极输入端接收所述待检测芯片的实际吸收电流值，正极输入端接收在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的上限值，并通过输出端输出第一比较结果至第一触发器的D输入端；

第三比较器的负极输入端接收在该检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的下限值，正极输入端接收所述待检测芯片的实际吸收电流值，并通过输出端输出第二比较结果至第二触发器的D输入端；

当待检测芯片的实际供电电压值达到在确定出的检测点处对应的供电电压值时，第一比较器触发第一触发器的Q输出端输出第一触发器的D输入端接收到的第一比较结果，并触发第二触发器的Q输出端输出第二触发器的D输入端接收到的第二比较结果；

若所述第一比较结果和第二比较结果均为1，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值处于规定的取值范围之内；若所述第一比较结果和第二比较结果中，至少一个不为1时，确定待检测芯片在此时的实际吸收电流值不处于规定的取值范围之内。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，按照如下公式规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的取值范围：

I_max＝I*(1+r₁)；I_min＝I*(1-r₂)，其中：

I表示在确定出的检测点处，所述待检测芯片处于正常工作状态时的实际吸收电流值；

r₁表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第一误差率，r₂表示预设的、允许实际吸收电流值出现的第二误差率；

I_max表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的上限值；

I_min表示在确定出的检测点处，规定所述待检测芯片的实际吸收电流值的下限值。

4.一种芯片故障检测装置，其特征在于，包括电流转化单元，判定单元和至少一个检测单元，各检测单元之间采用并联方式连接，其中：

所述电流转化单元，用于将待检测芯片的实际供电电压值转化为实际吸收电流值输出；

每一个检测单元，用于在待检测芯片启动过程中，当待检测芯片的实际供电电压值达到预设的供电电压值时，确定此时为一个检测点；并检测待检测芯片在此时的实际吸收电流值是否处于规定的取值范围之内，若未处于，将该检测点确定为一个不满足条件的检测点；

所述判定单元，用于当存在至少一个不满足条件的检测点时，判定所述待检测芯片处于故障状态。