[发明专利]可见光穿透率高的透明导电玻璃及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电玻璃(transparent conductive glass，TCG)，特别是涉及一种可见光(visible light)穿透率(transmittance)高的透明导电玻璃及其制作方法。

背景技术

平面显示器(flat panel display，FPD)、触控面板(touch panel)及薄膜太阳能电池(thin film solar cell)等电子产品的需求量于近年来不断地攀升，在此等电子产品中，不可缺少的组件则非透明导电玻璃莫属。目前最常见的透明导电层，无非是在透明玻璃基板上溅镀(sputtering)一金属氧化物(metal oxide)的透明导电层。如，氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟(In₂O₃)，或掺杂氟的氧化铟锡(fluorine-doped tin oxide，FTO)。然而，熟悉此技术领域者皆知，以该金属氧化物透明导电层所构成的透明导电玻璃的特性，其必须在导电率(conductivity)与穿透率两必要特性之间做取舍；也就是说，当该金属氧化物透明导电层的厚度越大，则其阻值(resistivity)越小，但是相对地，其可见光的穿透率也将被牺牲掉。

此处需进一步说明的是，以目前常见的氧化铟锡(ITO)透明导电层来说，由于铟(In)的产量稀少且价格有日渐高涨的趋势；此外，要使得ITO透明导电层具备有良好的导电性，其所需的厚度则必须超过100nm。因此，ITO透明导电层的制造成本非常高。

又，虽然FTO透明导电层所需使用的锡(Sn)的产量较为丰富。然而，要使得FTO透明导电层的导电性达到上述电子产品的要求，其厚度则须相对ITO透明导电层高出许多。举例来说，片电阻(sheet resistance)为16Ω/_square的FTO透明导电层所需厚度约300nm左右，而片电阻为8Ω/_square的FTO透明导电层所需厚度更须增加到500nm左右。因此，用于制造FTO透明导电层的材料成本也相当地高。

经上述说明可知，找出可替代ITO与FTO等透明导电层以提升透明导电玻璃的可见光穿透率，同时也使其电气特性(electricity)得以符合平面显示器、触控面板及薄膜太阳能电池等电子产品的要求，是此技术领域者所需改进的课题。

由此可见，上述现有的透明导电层产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新的可见光穿透率高的透明导电玻璃及其制作方法，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的透明导电层存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的可见光穿透率高的透明导电玻璃及其制作方法，能够改进一般现有的透明导电层，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的透明导电层存在的缺陷，而提供一种新的可见光穿透率高的透明导电玻璃，所要解决的技术问题是使其提供一种可见光穿透率高的透明导电玻璃，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，克服现有的透明导电层存在的缺陷，而提供一种新的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，所要解决的技术问题是使其在提供一种可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种可见光穿透率高的透明导电玻璃，其中，其包含：一个玻璃基板；一层形成于该玻璃基板上的缓冲层(buffer layer)；及一层形成于该缓冲层上的金属基(metal-based)膜层结构，自该缓冲层朝远离该玻璃基板的方向依序具有一层第一金属层、一层第二金属层及一层第三金属层；其中，该第一金属层是由Ag所制成，且厚度是介于6nm-10nm之间；其中，该第二金属层是由一选自下列所构成的群组的第二金属所制成：Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金，及SnNi合金；及其中，该第三金属层是一保护层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。