[发明专利]可见光穿透率高的透明导电玻璃及其制作方法

权利要求书

1.一种可见光穿透率高的透明导电玻璃，其特征在于，该包含：

一个玻璃基板；

一层形成于该玻璃基板上的缓冲层；及

一层形成于该缓冲层上的金属基膜层结构，自该缓冲层朝远离该玻璃基板的方向依序具有一层第一金属层、一层第二金属层及一层第三金属层；

其中，该第一金属层是由Ag所制成，且厚度是介于6nm-10nm之间；

其中，该第二金属层是由一选自下列所构成的群组的第二金属所制成：Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金，及SnNi合金；及

其中，该第三金属层是一保护层。

2.如权利要求1所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃，其特征在于：该第三金属层是由一选自下列所构成的群组的第三金属所制成：Al、AlTi合金、AlNi合金，及AlZn合金；该缓冲层是由一选自下列所构成的群组的材料所制成：Zn、ZnO、SnO₂，及TiO₂。

3.如权利要求1所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃，其特征在于：该第二金属层的厚度是介于15nm-25nm之间；该缓冲层的厚度是介于15nm-25nm之间。

4.一种可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：

在一个玻璃基板上形成一层缓冲层；

在该缓冲层上形成一层金属基膜层结构，该金属基膜层结构自该缓冲层朝远离该玻璃基板的方向依序具有一层第一金属层、一层第二金属层及一层第三金属层；及

在该步骤(b)后，将该形成有该缓冲层及该金属基膜层结构的玻璃基板设置于一个真空腔体的一个基底上，可以对该缓冲层及该金属基膜层结构施予微波等离子体处理，并提升该缓冲层及该金属基膜层结构的附着性；

其中，该第一金属层是由Ag所制成，且厚度是介于6nm-10nm之间；

其中，该第二金属层是由一选自下列所构成的群组的第二金属所制成：Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金，及SnNi合金；

其中，该第三金属层是一保护层；及

其中，该步骤(c)的基底是由一选自下列所构成的群组的材料所制成：碳纤维、石墨及半导体材料。

5.如权利要求4所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：该基底的面积是大于等于该玻璃基板上的缓冲层的面积，并大于等于该金属基膜层结构的面积，且该基底的面积与该玻璃基板上的缓冲层的面积相互重叠，并与该金属基膜层结构的面积相互重叠。

6.如权利要求4所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：实施该步骤(c)时，该真空腔体的工作压力是小于等于0.5Torr。

7.如权利要求6所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：该步骤(c)的微波等离子体处理是经由一个电源供应器提供一介于750W-2000W之间的输出功率。

8.如权利要求4所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：该半导体材料是硅。

9.如权利要求4所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：该第三金属层是由一选自下列所构成的群组的第三金属所制成：Al、AlTi合金、AlNi合金，及AlZn合金，且该第三金属层的一表面与微波等离子体处理后的一预定时间后是呈疏水性；该缓冲层是由一选自下列所构成的群组的材料所制成：Zn、ZnO、SnO₂，及TiO₂。

10.如权利要求4所述的可见光穿透率高的透明导电玻璃的制作方法，其特征在于：该第二金属层的厚度是介于15nm-25nm之间；该缓冲层的厚度是介于15nm-25nm之间。