[发明专利]双栅介质层的制作方法

权利要求书

1.一种双栅介质层的制作方法，其特征在于，包括：

a)提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面内的隔离沟槽STI，所述隔离沟槽将高压器件区和低压器件区隔离开；

b)在所述基底表面上形成保护层，直接接触所述基底表面的保护层材料易于剥离，且剥离过程中对所述基底表面基本没有损伤；

c)去除位于所述高压器件区的保护层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料；

d)在所述高压器件区的基底表面上形成高压器件的栅介质层；

e)去除位于所述低压器件区的保护层材料，暴露出位于所述低压器件区的基底材料；

f)在所述低压器件区的基底表面上形成低压器件的栅介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b)中，在所述基底表面上形成的保护层包括：

位于所述基底表面上的隔离层；

位于所述隔离层表面上的氮化硅层；

位于所述氮化硅层表面上的刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤c)中，去除位于所述高压器件区的保护层材料的过程具体为：

以具有高压器件区图形的光刻胶层为掩膜，去除位于高压器件区的刻蚀阻挡层材料，在所述刻蚀阻挡层上形成高压器件区图形；

去除所述光刻胶层，以具有高压器件区图形的刻蚀阻挡层为掩膜，去除位于高压器件区的氮化硅层材料，在所述氮化硅层上形成高压器件区图形；

去除具有低压器件区的刻蚀阻挡层材料以及位于高压器件区的隔离层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤e)中，所述低压器件区的保护层材料包括：

位于所述低压器件区的基底表面上的隔离层；

位于所述低压器件区的隔离层表面上的氮化硅层。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，去除所述保护层材料的过程具体为：采用湿法腐蚀工艺去除所述保护层材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤d)中，所述高压器件的栅介质层的厚度比常规工艺下形成的高压器件的栅介质层的厚度增加了

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述隔离层材料和/或所述氮化硅刻蚀阻挡层材料为二氧化硅。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，作为隔离层的二氧化硅层厚度为

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，作为氮化硅刻蚀阻挡层的二氧化硅层厚度为25nm-35nm。

10.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为25nm-35nm。