[发明专利]NOR Flash器件制作方法

权利要求书

1.一种NOR Flash器件制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；

采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；

在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；

采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；

采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗，具体包括：

对连接刻蚀腔体的通有CO气体的管路进行清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，具体包括：

在所述第一硬掩膜层上旋涂光刻胶层；

采用具有第一开口图案的掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，之后显影，形成具有第一开口图案的光刻胶层，所述第一开口图案对应浅槽隔离区、源区和漏区；

以所述具有第一开口图案的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀，形成第一开口；

去除所述具有第一开口图案的光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对第一硬掩膜层进行刻蚀之后，还包括：

对基底及其上的第一多晶硅层和第一硬掩膜层进行清洗。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对第二硬掩膜层进行刻蚀之后，还包括：

对基底及其上的第一多晶硅层和第二硬掩膜层进行清洗。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对第一多晶硅层进行刻蚀之后，还包括：

对基底及其上的第二硬掩膜层进行清洗。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对基底及其上的第一多晶硅层和第一硬掩膜层进行清洗，或者，对基底及其上的第一多晶硅层和第二硬掩膜层进行清洗，或者，对基底及其上的第二硬掩膜层进行清洗时，均采用SC-1溶液。

8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，形成浮栅之后还包括：

在所述浮栅上依次形成叠层介质层和控制栅。

9.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层均为SiN层。

10.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述基底为硅衬底。