[发明专利]半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法。

背景技术

以往，例如，如下述专利文献中所公开的那样，公知对分别在其上形成了半导体元件的多个半导体基板或半导体层进行接合的技术。

例如，在日本特开平1-133341号公报中记载了如下技术：隔着绝缘膜将形成有有源元件的外延Si层或GaAs层接合在形成有有源元件的Si基板上。此外，在日本特开2005-136187号公报中记载了如下技术：经由焊料球等的突起电极，进行GaAs层和Si基板的电路接合。此外，在日本特开昭63-205918号公报中记载了如下技术：隔着低熔点金属层，对外延AlGaAs层和形成有LSI的Si基板进行接合。此外，在日本特开平8-236695号公报中记载了如下技术：隔着绝缘层利用范德华力将形成有元件的AlGaAs层接合在形成有功能元件的Si基板上。

[专利文献1]: 日本特开平1-133341号公报。

[专利文献2]: 日本特开2005-136187号公报。

[专利文献3]: 日本特开昭63-205918号公报。

[专利文献4]: 日本特开平8-236695号公报。

[专利文献5]: 日本特开昭63-126260号公报。

使用化合物半导体材料制作半导体元件，由此，发挥化合物半导体的优势，能够得到优良的特性的半导体元件。但是，另一方面，为了使用化合物半导体材料（具体地说，为了形成化合物半导体层或准备化合物半导体材料的半导体基板），相应地花费较高的成本。

在半导体装置例如MMIC等高频半导体装置中，根据电路的具体结构，半导体有源元件、无源电路、布线、焊盘等各种结构被形成在半导体基板上。与半导体有源元件即晶体管或二极管等元件的尺寸相比，无源电路（无源元件、具体地说是MIM或电感器等）所占的面积较大。在遵照将电路元件排列形成在同一基板上这样的设计原则的情况下，在化合物半导体基板上形成有源元件以及无源电路，由此，导致高价格的化合物半导体基板上的很多面积被无源电路占用。其结果是，从抑制芯片制造成本的角度出发，不能够满足希望从一个化合物半导体基板制作尽量多的半导体装置这样的要求。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法。

为了达到上述的目的，第一发明的半导体装置的特征在于，具有：第一基板，具有表面和背面，包括化合物半导体层，在所述化合物半导体层上形成有半导体有源元件，所述背面平滑，并且，在所述背面具有与所述半导体有源元件连接的电接合用的第一接触区域；第二基板，由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，并且具有平滑的表面、第二接触区域、以及无源电路，该第二接触区域以在所述表面露出的方式埋入，该无源电路以不在所述表面形成凹凸的方式埋入到内部或者在背面侧露出并且与所述第二接触区域连接，以将所述第一接触区域与所述第二接触区域连接的方式将所述第一基板的所述平滑的所述背面直接地接合在所述平滑的所述表面。

为了实现上述的目的，第二发明的半导体电路基板的特征在于，具有：第一基板，具有表面和背面，包括化合物半导体层，在所述化合物半导体层上形成有多个半导体有源元件，所述背面平滑，并且，在所述背面具有分别与所述多个半导体有源元件连接的电接合用的多个第一接触区域；第二基板，由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，并且具有平滑的表面、多个第二接触区域、以及多个无源电路，该多个第二接触区域以在所述表面露出的方式埋入，该多个无源电路以不在所述表面形成凹凸的方式埋入到内部或者在背面侧露出并且分别与所述多个第二接触区域连接，以将所述多个第一接触区域和所述多个第二接触区域分别连接的方式，将所述第一基板的所述平滑的所述背面直接地接合在所述平滑的所述表面。