[发明专利]半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一基板，具有表面和背面，在所述表面具有化合物半导体层，在所述化合物半导体层上形成有半导体有源元件，所述背面平滑，并且，在所述背面具有与所述半导体有源元件连接的电接合用的第一接触区域；

第二基板，由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，并且具有平滑的表面、第二接触区域、以及无源电路，该第二接触区域以在所述表面露出的方式埋入，该无源电路以不在所述表面形成凹凸的方式埋入到内部或者在背面侧露出并且与所述第二接触区域连接，以使所述第一接触区域与所述第二接触区域连接的方式将所述第一基板的所述平滑的所述背面直接地接合在所述平滑的所述表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第三基板，该第三基板由化合物半导体以外的材料形成并且不具有半导体有源元件，在所述第一基板的所述表面侧与所述第一基板的所述半导体有源元件连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有侧壁，该侧壁以包围所述半导体有源元件的方式设置在所述第一基板上，并且，与所述第一基板、所述第三基板一起形成容纳该半导体有源元件的内部空间。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述侧壁具有介于所述第一基板和所述第三基板之间的由导电性材料构成的连接部。

5.一种半导体装置，其特征在于，

具有两个以上的权利要求2所述的半导体装置，

所述两个以上的所述权利要求2所述的半导体装置分别具有权利要求1所述的第一基板以及第二基板和权利要求2所述的第三基板，

所述两个以上的所述权利要求2所述的半导体装置中的一个半导体装置的所述第三基板的不与所述第一基板的电路连接的一侧的面和所述两个以上的所述权利要求2所述的半导体装置中的另一个半导体装置的所述第二基板的所述表面接合。

6.一种半导体电路基板，其特征在于，具有：

第一基板，具有表面和背面，包括化合物半导体层，在所述化合物半导体层上形成有多个半导体有源元件，所述背面平滑，并且，在所述背面具有分别与所述多个半导体有源元件连接的电接合用的多个第一接触区域；以及

第二基板，由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，并且具有平滑的表面、多个第二接触区域、以及多个无源电路，该多个第二接触区域以在所述表面露出的方式埋入，该多个无源电路以不在所述表面形成凹凸的方式埋入到内部或者在背面侧露出并且分别与所述多个第二接触区域连接，以使所述多个第一接触区域和所述多个第二接触区域分别连接的方式，将所述第一基板的所述平滑的所述背面直接地接合在所述平滑的所述表面。

7.如权利要求6所述的半导体电路基板，其特征在于，

还具有第三基板，该第三基板由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，在所述第一基板的所述表面侧与所述第一基板的所述半导体有源元件连接。

8.如权利要求7所述的半导体电路基板，其特征在于，

还具有侧壁，该侧壁以包围所述半导体有源元件的方式设置在所述第一基板上，并且，与所述第一基板、所述第三基板一起形成容纳该半导体有源元件的内部空间。

9.如权利要求8所述的半导体电路基板，其特征在于，

所述侧壁具有介于所述第一基板和所述第三基板之间的由导电性材料构成的连接部。

10.一种半导体电路基板，其特征在于，

具有两个以上的权利要求7所述的半导体电路基板，

所述两个以上的所述权利要求7所述的半导体电路基板分别具有权利要求6所述的第一基板以及第二基板、权利要求7所述的第三基板，

所述两个以上的所述权利要求7所述的半导体电路基板中的一个半导体电路基板的所述第三基板的不与所述第一基板的电路连接的一侧的面和所述两个以上的所述权利要求7所述的半导体电路基板中的另一个半导体电路基板的所述第二基板的所述表面接合。

11.如权利要求6至9中的任意一项所述的半导体电路基板，其特征在于，

所述第一基板的所述背面以及所述第二基板的所述表面的粗糙度为3nm以下。