[发明专利]MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法有效
| 申请号： | 201110225196.0 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102323529A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 寄生 双极型 特性 表征 方法 | ||
1.一种MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，包括如下步骤：
测量所述MOS晶体管的漏电流Id；
测量所述MOS晶体管的栅致漏极漏电流Igidl；
测量所述MOS晶体管的源极和漏极之间的电压Vds，所述电压Vds为所述MOS晶体管的寄生双极型晶体管的集电极和发射极之间的电压Vce；
根据测得的所述漏电流Id和所述栅致漏极漏电流Igidl，利用Id＝(1+β)Igidl，计算所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β；
生成所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β与所述集电极和发射极之间的电压Vce的拟合函数。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，所述MOS晶体管为横向SOI结构的MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的双极晶体管的特性表征方法，其特征在于，测量的所述MOS晶体管的源极和漏极之间的电压Vds的范围为1.2V～2.0V。
4.根据权利要求1所述的MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，所述MOS晶体管的源极和漏极之间的电压Vds的测试间距为0.1V。
5.根据权利要求1所述的MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述MOS晶体管栅极所加电压为负电压。
6.根据权利要求1所述的MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述MOS晶体管栅极所加电压为正电压。
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