[发明专利]一种低电容的晶体管功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110224497.1 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102254940A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；
所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500-11500埃。
2.根据权利要求1所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述热场氧化层的厚度为10000埃。
3.根据权利要求1或2所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述晶体管功率器件为VDMOS功率器件或IGBT功率器件。
4.根据权利要求3所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述热场氧化层仅设置在所述栅电极的栅区沟道区外表面。
5.根据权利要求4所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述热场氧化层还设置在所述源电极的N+源区，作为N+源区注入的屏蔽口。
6.根据权利要求4所述的晶体管功率器件，其特征在于，还包括一二氧化硅绝缘层，用于隔离所述栅电极和所述源电极。
7.一种低电容的晶体管功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、热场氧化所述硅片，形成所述热场氧化层；
B、热氧化所述硅片形成所述栅氧化层；
C、淀积多晶硅，并光刻多晶硅区，形成所述栅电极；
D、形成所述源电极和所述漏电极；
E、形成所述低电容的晶体管功率器件。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步骤A之后，还执行步骤A1，在形成所述热场氧化层后，设置所述热场氧化层的厚度，并光刻所述热场氧化层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，步骤A1具体执行：光刻所述硅片时，保留所述栅电极的栅区沟道区外表面的热场氧化层，以及所述源电极的N+源区部分的热场氧化层。
10.根据权利要求7至9任一所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤D1：淀积二氧化硅，隔离绝缘所述栅电极和所述源电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市稳先微电子有限公司，未经深圳市稳先微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110224497.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：ATP-结合盒转运蛋白的调节剂
- 下一篇：青蒿醚作为抑藻剂的应用
- 同类专利
- 专利分类
