[发明专利]具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管

权利要求书

1.一种具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：包含一个漏极结构、一个井区、一个栅极沟渠结构，以及一个源极结构，该漏极结构以半导体材料构成并包括一个成第一导电性的漏极区，及一个位于该漏极区中且主要载子浓度小于该漏极区的袋状区，该井区成相反于该第一导电性的第二导电性，并实体接触该漏极区，该栅极沟渠结构形成在该漏极区和该井区中且与该袋状区实体接触，并包括一块导电块，及一层将该导电块及该井区隔离的介电层，该源极结构包括一个成第一导电性且借该井区而与该漏极结构不相接触的源极区。

2.如权利要求1所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该漏极结构的袋状区成第一导电性。

3.如权利要求2所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该漏极结构的漏极区向上依序具有一层基部层、一层主要载子浓度不大于该基部层的第一部层，及一层主要载子浓度不大于该第一基部层的第二部层，该井区形成在该第二部层中，该栅极沟渠结构向下形成在该井区与该第二部层中。

4.如权利要求3所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该漏极结构的袋状区形成于该第一部层顶部。

5.如权利要求4所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该漏极结构的袋状区是以离子植入的方式形成。

6.如权利要求5所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该漏极结构的第一部层与第二部层是以磊晶的方式形成。

7.如权利要求6所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该栅极沟渠结构的导电块是以多晶硅为主要材料构成。

8.如权利要求7所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该源极结构还包括一个可导电且与该源极区实体接触而可对外电连接的接触插塞。

9.如权利要求8所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该第一导电性是n型半导体，该第二导电性是p型半导体。

10.如权利要求8所述的具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，其特征在于：该第一导电性是p型半导体，该第二导电性是n型半导体。