[发明专利]具有超级接口的功率元件

权利要求书

1.一种具有超级接口的功率元件，包含：一块基材、一个主体、一个源极结构，以及一个栅极结构；其中该基材以半导体材料构成并具有预定主要载流子浓度而成第一导电性，该主体包含一个主要载流子浓度小于该基材主要载流子浓度并成第一导电性的原质部，及一个与该原质部实体接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部，该源极结构与该基材间隔并与该主体的改质部实体接触，且主要载流子浓度不小于该主体的原质部的主要载流子浓度且成第一导电性，该栅极结构包括一块与该改质部连结的介电材，及一块与该介电材连结且与该主体间隔的导电材；其特征在于：该改质部具有一个截面宽度不大于该原质部的截面宽度的填充区，及一个围覆该填充区侧周面的扩散区，该扩散区与该原质部的交界处晶格连续并界定为超级接口。

2.如权利要求1所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的填充区的主要载流子自侧周面扩散出而形成围覆该填充区侧周面的扩散区。

3.如权利要求2所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的填充区的截面宽度不大于该原质部的截面宽度的5/7倍，该改质部的扩散区的截面宽度不小于该填充区的截面宽度的1/5倍。

4.如权利要求3所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的深度小于该原质部的高度与基材的高度的总和。

5.如权利要求1所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部还包括一个形成于该填充区及该扩散区上并供该源极结构实体接触的井区。

6.一种具有超级接口的功率元件，包含：一块基材、一个主体、一个源极结构，以及一个栅极结构；其中该基材以半导体材料构成并具有预定主要载流子浓度而成第一导电性，该主体包括一个成相反于第一导电性的第二导电性的原质部，及一个主要载流子浓度小于该基材的主要载流子浓度且成第一导电性并与该原质部实体接触的改质部，该源极结构与该基材间隔并与该主体的原质部实体接触，且主要载流子浓度不小于该改质部的主要载流子浓度且成第一导电性，该栅极结构包括一块与该原质部连结的介电材，及一块与该介电材连结且与该主体间隔的导电材；其特征在于：该改质部具有一个截面宽度不大于该原质部的截面宽度的填充区，及一个围覆该填充区侧周面的扩散区，该扩散区与该原质部的交界处晶格连续并界定为超级接口。

7.如权利要求6所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的填充区的主要载流子自侧周面扩散出而形成围覆该填充区侧周面的扩散区。

8.如权利要求7所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的填充区的截面宽度不大于该原质部的截面宽度的5/7倍，该改质部的扩散区的截面宽度不小于该填充区的截面宽度的1/5倍。

9.如权利要求8所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该改质部的深度不小于该原质部的高度，且小于该原质部的高度与该基材的高度的总和。

10.如权利要求6所述的具有超级接口的功率元件，其特征在于：该原质部还包括一个与该源极结构实体接触的井区。