[发明专利]具有超级介面的功率晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于，所述具有超级介面的功率晶体管的制作方法包含以下步骤：(a)在一块成第一导电性的基板上形成一个沟渠；(b)以载子扩散的方式令载子经该沟渠进入该基板中，而在该基板形成有该沟渠的邻近区域转变成一个相反于第一导电性的第二导电性的第二部，及一个保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部；(c)移除该第二部部分结构而形成一个成第二导电性的第三部，及一个由该第三部界定出的渠道；(d)在该渠道中填入一块第一填充材；及(e)在该第三部与该第一填充材植入载子而形成一个成第一导电性的源极区，及一个实体接触该源极区且保持第二导电性的井区，并在该第一部上形成一个包括一块介电材及一块导电材的栅极结构，而制得一个具有超级介面的功率晶体管。

2.如权利要求1所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(d)的第一填充材选自成第二导电性的半导体材料、中性半导体材料，及前述的一组合。

3.如权利要求2所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(d)是以磊晶的方式填入该第一填充材。

4.如权利要求3所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(b)是先在该沟渠中填入一块成第二导电性的载子扩散材，并通过加热令该载子扩散材中的载子扩散进入该基板中而形成该第二部与第一部，再移除该载子扩散材。

5.如权利要求4所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(c)所形成的渠道的深度大于径宽。

6.如权利要求5所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(c)所形成的渠道的深度与径宽的比例大于5。

7.如权利要求6所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(e)是先以离子植入工艺在该第三部与该第一填充材植入载子而形成一个成第二导电性的井预备区，再在该井预备区以离子植入工艺植入成第一导电性的载子，而将该井预备区界定为该源极区及该井区。

8.如权利要求7所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(a)是先在该基板上形成一层与该基板的主要构成材料相异的硬遮幕层，再自未被该硬遮幕层遮蔽的基板表面向下形成该沟渠，该步骤(d)是先将该基板上的硬遮幕层移除，再在该渠道中填入该第一填充材。

9.一种具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于，所述具有超级介面的功率晶体管的制作方法包含以下步骤：(a)在一块成第一导电性的基板上形成一个沟渠；(b)以载子扩散的方式令载子经该沟渠进入该基板中，而在该基板形成有该沟渠的邻近区域转变成一个相反于第一导电性的第二导电性的第二部，及一个保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部；(c)在该沟渠中填入一块以半导体材料构成且主要载子浓度小于该第二部中邻近该沟渠的区域的主要载子浓度的第二填充材，再令该第二填充材与该第二部邻近该沟渠区域中的载子由浓度高处往浓度低处扩散；及(d)在该第二部与该第二填充材植入载子而形成一个成第一导电性的源极区，及一个实体接触该源极区且保持第二导电性的井区，并在该第一部形成一个包括一块介电材及一块导电材的栅极结构，而制得一个具有超级介面的功率晶体管。

10.如权利要求9所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(c)是以磊晶的方式成长半导体材料成该第二填充材。

11.如权利要求10所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(c)在该沟渠中填入的该第二填充材的主要载子浓度远小于该第二部中邻近该沟渠的区域的主要载子浓度，再利用加热工艺令该第二部的载子扩散进入该第二填充材。

12.如权利要求11所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(b)是先在该沟渠中填入一块成第二导电性的载子扩散材，并通过加热而使该载子扩散材中的载子扩散进入该基板中而形成该第二部与该第一部，再移除该载子扩散材。

13.如权利要求12所述的具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤(a)所形成的沟渠的深度大于径宽。