[发明专利]导电接触物的制造方法无效
| 申请号： | 201110220351.X | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102832164A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何家铭;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 接触 制造 方法 | ||
1.一种导电接触物的制造方法，其特征在于包括：
提供半导体基板，所述半导体基板上具有介电层且所述半导体基板内具有两个导电区与隔离组件，而所述隔离组件隔离了所述两个导电区；
在所述介电层内形成开口，露出所述隔离组件的顶面及所述两个导电区的部份顶面；
施行磊晶程序，在所述开口内形成导电半导体层，覆盖所述隔离组件的所述顶面及所述两个导电区的所述部份顶面；以及
在所述开口内形成导电层，覆盖所述导电半导体层并填满所述开口。
2.根据权利要求1所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述隔离组件为浅沟槽隔离组件。
3.根据权利要求1或2所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述半导体基板为P型基板，而所述两个导电区为N型区。
4.根据权利要求1或2所述的导电接触物的制造方法，其特征在于在形成所述导电半导体层之后，所述开口具有约4∶1-1∶1的深宽比。
5.根据权利要求1或2所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述磊晶制程在约850℃温度下施行，并采用SiH2Cl2、HCl与H2的反应气体。
6.根据权利要求5所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述导电半导体层在所述磊晶程序中临场地掺杂导电掺质。
7.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述导电半导体层包括掺杂有砷或磷的硅材料。
8.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述导电层包括金属或经掺杂的多晶硅。
9.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述两个导电区都作为晶体管的源极区或汲极区。
10.根据权利要求1、2或5中任意一项所述的导电接触物的制造方法，其特征在于所述磊晶程序是利用化学气相沉积方法所施行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
