[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上沉积间隔物材料，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域上形成有NMOS栅极，所述PMOS区域上形成有PMOS栅极；

用第一掩模覆盖所述NMOS区域；

通过刻蚀形成所述PMOS栅极的间隔物；

通过刻蚀在PMOS区域中形成用于形成PMOS源/漏区的凹陷；

去除所述第一掩模后在所述凹陷中生长SiGe或原位掺杂B的SiGe。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹陷中生长SiGe或原位掺杂B的SiGe后还包括：

用第二掩模覆盖所述PMOS区域，

通过刻蚀形成所述NMOS栅极的间隔物；

去除所述第二掩模。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔物材料为氮化硅，或者，所述间隔物材料包括氧化硅以及沉积在所述氧化硅上的氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述PMOS栅极的间隔物和用于形成PMOS源/漏区的凹陷是通过一次刻蚀形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成用于形成所述PMOS源/漏区的凹陷后还包括：

对所述凹陷进行各向异性湿法刻蚀。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，使用高晶面选择性蚀刻剂进行所述各向异性湿法刻蚀，所述高晶面选择性蚀刻剂包括TMAH、KOH、或者NH₃OH。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，覆盖所述NMOS区域的第一掩模为光致抗蚀剂，覆盖所述PMOS区域的第二掩模为与所述第一掩模的光致抗蚀剂类型相反的光致抗蚀剂；对覆盖所述PMOS区域的光致抗蚀剂和覆盖所述NMOS区域的光致抗蚀剂采用相同的光刻版进行曝光。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述NMOS栅极的间隔物为偏移间隔物；

在去除覆盖所述PMOS区域的第二掩模后，所述方法还包括：

进行轻掺杂漏极注入；

形成所述NMOS栅极的主间隔物和所述PMOS栅极的主间隔物。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述NMOS栅极的间隔物为主间隔物；

在半导体衬底上沉积间隔物材料之前，所述方法还包括：

形成所述NMOS栅极的偏移间隔物和所述PMOS栅极的偏移间隔物；

进行晕圈注入和扩展区注入。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述PMOS栅极的间隔物和所述NMOS栅极的间隔物具有不同的关键尺寸。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一掩模的步骤在形成所述用于形成PMOS源/漏区的凹陷的步骤之前进行，或者在形成所述用于形成PMOS源/漏区的凹陷的步骤之后进行。

12.一种半导体器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域上形成有NMOS栅极，所述PMOS区域上形成有PMOS栅极；

其中，所述NMOS区域上覆盖有间隔物材料，所述PMOS栅极侧壁上形成有间隔物，在所述PMOS区域形成有用于形成PMOS源/漏区的凹陷。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述凹陷中生长有SiGe或原位掺杂B的SiGe。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，在所述PMOS区域覆盖有掩模。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述间隔物为主间隔物或偏移间隔物；

或者，

所述间隔物材料为氮化硅，或者，所述间隔物材料包括氧化硅以及沉积在所述氧化硅上的氮化硅；

或者，

所述掩模为光致抗蚀剂。