[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

具备：

第一导电型的第一半导体层；

第一导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且第一导电型杂质浓度比所述第一半导体层低；

第二导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；

第一导电型的第四半导体层，设置在所述第三半导体层上，且第一导电型杂质浓度比所述第二半导体层高；

第一绝缘膜，设置在多个第一沟槽的内壁，该多个第一沟槽贯穿所述第四半导体层和所述第三半导体层而到达所述第二半导体层且沿与所述第一半导体层的表面平行的第一方向延伸；

栅电极，隔着所述第一绝缘膜而埋入所述第一沟槽内；

第二绝缘膜，设置在第二沟槽的内壁，该第二沟槽贯穿所述第四半导体层和所述第三半导体层而到达所述第二半导体层，并且该第二沟槽为环状结构，在内侧具有包含多个所述栅电极的元件区域的第一区域和在外侧包围所述第一区域的第二区域之间，具有将所述第三半导体层和第四半导体层分别分割、在所述第一方向上延伸的部分；

第三绝缘膜，设置在所述第一区域和所述第二区域的所述第四半导体层上，与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜连接，使所述第四半导体层与外部绝缘；

栅极布线层，在所述第一区域中设置于所述第三绝缘膜上，包围所述元件区域，在所述第一沟槽的两端与所述栅电极电连接；

层间绝缘膜，设置在所述栅电极、所述栅极布线层、所述第二沟槽以及所述第三绝缘膜上，使所述栅电极和所述栅极布线层分别与外部绝缘；

第一电极，设置在所述第一半导体层的与所述第二半导体层相反一侧的表面上；和

第二电极，经第一开口部和第二开口部与所述第三半导体层和所述第四半导体层电连接，该第一开口部在相邻的所述第一沟槽间贯穿所述层间绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四半导体层，该第二开口部在与所述第一方向正交的第二方向上，在所述多个第一沟槽中的与所述栅极布线层相邻的第一沟槽和所述栅极布线层之间，贯穿所述层间绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四半导体层，并在所述第一方向上延伸，

在所述第二方向上，所述第二开口部的宽度比所述第一开口部的宽度大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二开口部具有沿所述第一方向间隔分离的多个分割部，

所述栅电极还具有栅极引出部，该栅极引出部在所述第一方向上的所述第二开口部的所述分割部两侧与所述分割部间隔，在与所述栅极布线层相邻的所述第一沟槽的向所述栅极布线层延伸的部分隔着所述第一绝缘膜被埋入，

所述栅极引出部与所述栅极布线层电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的间隔在所述第一方向上交替地具有较宽部分和较窄部分，在所述较宽部分所述栅极引出部与所述栅极布线层电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的所述间隔的所述较窄部分，所述第二开口部具有向所述第二区域突出的凸部，所述栅极布线层具有向所述第二区域凹陷的凹部。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的所述间隔的所述较窄部分，所述第二沟槽具有向所述元件区域突出的凸部，所述栅极布线层具有向所述元件区域凹陷的凹部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的间隔在所述第一方向上交替地具有较宽部分和较窄部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的所述间隔的所述较窄部分，所述第二开口部具有向所述第二区域突出的凸部，所述栅极布线层具有向所述第二区域凹陷的凹部。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

在所述第二方向上的所述第二开口部和所述第二沟槽之间的所述间隔的所述较窄部分，所述第二沟槽具有向所述元件区域突出的凸部，所述栅极布线层具有向所述元件区域凹陷的凹部。