[发明专利]一种口腔种植用瓷基台及其制造方法

权利要求书

1.一种口腔种植用瓷基台，包括具有沉头通孔的基座，其特征 是：所述沉头通孔中装有外螺纹与置入颌骨内种植体螺纹孔相配的中 央沉头螺丝；所述基座的下端具有嵌入种植体内的缩径接圈，中部具 有向外延伸的突沿；所述基座上部外圆包覆有金属底层，所述金属底 层的底端沿所述突沿的上表面外展，所述金属底层外包覆有铸造瓷 层；所述铸造瓷层的外形与烤瓷冠底部的凹孔相配。

2.根据权利要求1所述的口腔种植用瓷基台，其特征是：所述 铸造瓷层随所述金属底层朝上延伸，形成炮楼状圆台，所述圆台中心 具有与所述沉头通孔相通的中心孔，所述圆台的外圆具有与烤瓷冠底 部凹孔压合时的楔紧锥度。

3.根据权利要求2所述的口腔种植用瓷基台，其特征是：所述 金属底层和铸造瓷层之间还具有遮色瓷层。

4.根据权利要求1所述口腔种植用瓷基台的制造方法，其特征 是：包括以下步骤：

第一步、在基座上制作与金属底层形状相配的蜡模以及铸道，并 将其固定在铸圈内，向铸圈灌注包埋材料混合液，静置使混合液凝固 成为包埋体；

第二步、将包埋体在880～920℃温度下焙烧，时间为40～55min， 熔融蜡模并倒出蜡液，将金属合金熔融后从铸道浇入焙烧好的包埋体 型腔内，铸造完成后，清除包埋材料，得到包覆金属底层的基座；

第三步、制作与铸造瓷层形状相配的蜡模以及铸道，并将其固定 在铸圈内，向铸圈灌注包埋材料混合液，静置使混合液凝固成为包埋 体；

第四步、将包埋体在830～870℃温度下焙烧，时间为45min， 熔融蜡模并倒出蜡液，将铸造陶瓷在910～950℃温度熔融后从铸道 浇入焙烧好的包埋体型腔内，铸造完成后，清除包埋材料，得到初成 品；

第五步、将初成品打磨、修形，并装入沉头螺丝，即得到所述瓷 基台成品。

5.根据权利要求4所述的口腔种植用瓷基台的制造方法，其特 征是：所述第二步与第三步之间还具有：在金属底层的表面均匀涂布 遮色糊剂，并在930～970℃温度下真空烧结，时间为1±0.1min， 得到了附着在金属底层上的遮色瓷。

6.根据权利要求4所述的口腔种植用瓷基台的制造方法，其特 征是：所述第五步中还具有：初成品打磨、修形后，在其铸造瓷层的 表面涂布染色剂，并在760～800℃温度下真空烧结，时间为1± 0.1min。

7.根据权利要求4所述的口腔种植用瓷基台的制造方法，其特 征是：所述第二步中，金属合金为金合金，其熔融温度为1280～1320 ℃。

8.根据权利要求4所述的口腔种植用瓷基台的制造方法，其特 征是：所述第二步中还具有：金属底层采用氧化铝颗粒进行表面喷砂 处理后在930～970℃温度下氧化，然后进行酸蚀处理。

9.根据权利要求4所述的口腔种植用瓷基台的制造方法，其特 征是：所述包埋材料混合液由质量比为160∶32∶8的包埋料、包埋 液和水组成。