[发明专利]一种提高薄膜应变线性度的方法有效
| 申请号： | 201110214390.9 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102320549A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 严远;杨芳;王玮;罗葵;田大宇;刘鹏;李婷;张大成 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 应变 线性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加强肋与薄膜材料相同，连为一体。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，各加强肋的厚度相同。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，各加强肋的宽度相同。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，相邻加强肋之间的间距与加强肋的宽度相等。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，加强肋的厚度为薄膜与加强肋整体厚度的1/2。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，首先制备一定厚度的平面薄膜，然后对不设加强肋的区域进行选择性减薄，获得表面布置有加强肋的薄膜。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述薄膜为硅薄膜。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过腐蚀或刻蚀的方法对薄膜进行区域选择性减薄。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，腐蚀或刻蚀的深度为原薄膜厚度的1/2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110214390.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：干熄焦循环系统的温度压力控制方法
- 下一篇：铜铝合金的混合酸硬质阳极氧化法
