[发明专利]电路载板的散热结构的成型方法有效
申请号: | 201110213260.3 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102905470A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 张谦为;林定皓;陈亚详;卢德豪 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/24 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 散热 结构 成型 方法 | ||
1.一种电路载板的散热结构的成型方法,其特征在于,该成型方法包含:
一基板准备步骤,准备一电路基板;
一钻孔步骤,在该电路基板的表层形成多个开口,而在所述开口中暴露出该电路基板中的至少一内部铜层,所述开口包含至少一第一开口以及至少一第二开口,该至少一第一开口小于该至少一第二开口,而该至少一第二开口大于或等于150x 100um2;
一第一镀铜步骤,形成至少一第一镀铜层在该电路基板的表面,该第一镀铜层填满该至少一第一开口,但未填满该至少一第二开口,而使填入各该第二开口的该第一镀铜层具有一凹陷处;
一阻隔层形成步骤,是该第一镀铜层上形成一阻隔层,
一阻隔层去除步骤,移除除了在该凹陷处上的该阻隔层;
一镀镍及化学移除步骤,是在该第一镀铜层及在该凹陷处上的该阻隔层上形成一镀镍层,再以化学方式移除该凹陷处上的该阻隔层及该阻隔层上的部分镀镍层,使在该凹陷处没有该镀镍层;
一第二镀铜步骤,在该镀镍层及具有该凹陷处的该第一镀铜层的表面形成一第二镀铜层,使该第二孔洞中的第一镀铜层及第二镀铜层的总高度高于在该第一孔洞中第一镀铜层的高度,在第二孔洞中该第二镀铜层具有一第二凹陷处;
一防蚀层形成步骤,是在该第二凹陷处填入一防蚀刻材料;
一蚀刻步骤,是以化学方式去除除了被防蚀刻材料遮蔽的第二镀铜层;
一第二蚀刻及减薄步骤,是以研磨方式将该镀镍层、该防蚀刻材料去除,并使填入在所述第二孔洞中的该第二镀铜层形成与该第一镀铜层相同的高度;
一干膜形成步骤,是在该第一镀铜层与该第二镀铜层的表面形成图案化的一干膜;以及
一散热结构形成步骤,蚀刻并移除将该干膜移除,而形成具有多个第一铜凸块、多个第二铜凸块以及多个铜垫的一散热结构层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步在该第二蚀刻及减薄步骤减薄该第一镀铜层的高度。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该散热结构层与该内部铜层电气连接。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该电路基板包含:
一第一基板;
二第二电路基板,分别位于该第一基板的上下两侧;
二该内部铜层位于该第一基板与该第二基板之间;以及
二外部铜层位于该第二基板的外表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于景硕科技股份有限公司,未经景硕科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110213260.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。