[发明专利]SRAM单元

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及SRAM单元。

背景技术

随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展，世界集成电路产业总产值以每年超过30％的速度发展，静态随机存储器(SRAM)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。SRAM是逻辑电路中一种重要部件，其因为具有功耗小，读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。

现有技术提供了一种SRAM单元，请参考图1所示的现有技术的SRAM单元的电路结构示意图。包括：

第一NMOS晶体管N1和第四NMOS晶体管N4，栅极接写入字线WWL，源极接写入位线WBL，漏极作为写入节点；

第一CMOS晶体管101和第二CMOS晶体管102，所述第一CMOS晶体管101包括第一PMOS晶体管P1和第六NMOS晶体管N6，所述第二CMOS晶体管102包括第二PMOS晶体管P2和第二NMOS晶体管N2，所述第一PMOS晶体管P1漏极和第二PMOS晶体P2的漏极接地，所述第六NMOS晶体管N6的漏极、所述第一PMOS晶体管P1的源极和所述第二PMOS晶体管P2的源极、第二NMOS晶体管N2的漏极以及所述第一NMOS晶体管N1的漏极(即所述写入节点)电连接；所述第一PMOS晶体管P1的栅极、第六NMOS晶体管N6的栅极、第二PMOS晶体管P2的栅极、第二NMOS晶体管N2的栅极、以及第四NMOS晶体管N4的漏极(即所述写入节点)电连接，所述第六NMOS晶体管N6的源极和第二NMOS晶体管N2的源极接低电位Vss；

第三NMOS晶体管N3和第五NMOS晶体管N5，所述第三NMOS晶体管N3的栅极接读操作字线RWL；第三NMOS晶体管N3的漏极接读操作位线RBL，第三NMOS晶体管N3的源极接第五NMOS晶体管N5的源极，第五NMOS晶体管N5的源极接低电位Vss。

在公开号为CN 101425332A的中国专利申请中可以发现更多关于现有的8T型SRAM单元的信息。

在实际中发现，由于需要使用8个晶体管，使得现有的SRAM单元占用的芯片面积较大。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供了一种SRAM单元，大大减小的SRAM单元占用的芯片的面积。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种SRAM单元，包括：

写入单元，与写字线和写位线电连接，用于控制对该SRAM单元写入信息的状态；

存储单元，与所述写入单元电连接，用于将所述写入信息反向，形成存储信息，提供存储节点将所述存储信息保存；

读出单元，与读字线、读位线和所述存储单元电连接，用于读出所述存储信息。

可选地，所述反向单元为CMOS单元，所述CMOS单元由第二类型晶体管和第一类型晶体管构成，所述第二类型晶体管的漏极接高电位信号，所述第一类型晶体管接低电位信号，所述第二类型晶体管的源极和第一类型晶体管的漏极电连接，并形成存储节点，所述第二类型晶体管和第一类型晶体管的栅极与所述写入单元电连接。

可选地，所述写入单元为写入晶体管，所述写入晶体管的栅极与所述写字线电连接，所述写入晶体管的源极与所述写位线电连接，所述写入晶体管的漏极与所述第二类型晶体管和第一类型晶体管的栅极电连接，形成写入节点，所述写入晶体管的载流子的导电类型与所述第一类型晶体管的载流子的导电类型相同。

可选地，还包括：电位维持晶体管，栅极与所述存储节点电连接，漏极与高电位电连接，源极与所述写入节点电连接，所述电位维持晶体管用于维持所述存储节点中的电位保持稳定，所述电位维持晶体管的载流子的导电类型与所述第二类型晶体管的载流子的导电类型相同。

可选地，所述写入晶体管的阈值电压比所述电压维持晶体管的阈值电压小0.05～0.2v。

可选地，所述读出单元为读出晶体管，所述读出晶体管的栅极与读字线电连接，漏极与读位线电连接，源极与所述存储节点电连接。

可选地，所述第二类型晶体管为PMOS晶体管，所述第一类型晶体管为NMOS晶体管。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：

本发明实施例提供的SRAM单元由5个晶体管构成，且利用本发明实施例的5个晶体管的SRAM单元可以实现与现有的8T型SRAM单元相同的功能，从而减小的SRAM单元占用的芯片的面积；