[发明专利]SRAM单元

权利要求书

1.一种SRAM单元，其特征在于，包括：

写入单元，与写字线和写位线电连接，用于控制对该SRAM单元写入信息的状态；

存储单元，与所述写入单元电连接，用于将所述写入信息反向，形成存储信息，提供存储节点将所述存储信息保存；

读出单元，与读字线、读位线和所述存储单元电连接，用于读出所述存储信息。

2.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述反向单元为CMOS单元，所述CMOS单元由第二类型晶体管和第一类型晶体管构成，所述第二类型晶体管的漏极接高电位信号，所述第一类型晶体管接低电位信号，所述第二类型晶体管的源极和第一类型晶体管的漏极电连接，并形成存储节点，所述第二类型晶体管和第一类型晶体管的栅极与所述写入单元电连接。

3.如权利要求2所述的SRAM单元，其特征在于，所述写入单元为写入晶体管，所述写入晶体管的栅极与所述写字线电连接，所述写入晶体管的源极与所述写位线电连接，所述写入晶体管的漏极与所述第二类型晶体管和第一类型晶体管的栅极电连接，形成写入节点，所述写入晶体管的载流子的导电类型与所述第一类型晶体管的载流子的导电类型相同。

4.如权利要求3所述的SRAM单元，其特征在于，还包括：电位维持晶体管，栅极与所述存储节点电连接，漏极与高电位电连接，源极与所述写入节点电连接，所述电位维持晶体管用于维持所述存储节点中的电位保持稳定，所述电位维持晶体管的载流子的导电类型与所述第二类型晶体管的载流子的导电类型相同。

5.如权利要求4所述的SRAM单元，其特征在于，所述写入晶体管的阈值电压比所述电压维持晶体管的阈值电压小0.05～0.2v。

6.如权利要求2所述的SRAM单元，其特征在于，所述读出单元为读出晶体管，所述读出晶体管的栅极与读字线电连接，漏极与读位线电连接，源极与所述存储节点电连接。

7.如权利要求2所述的SRAM单元，其特征在于，所述第二类型晶体管为PMOS晶体管，所述第一类型晶体管为NMOS晶体管。