[发明专利]采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法

权利要求书

1.采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：

步骤一、在常规衬底上生长AlGaN基材料；

步骤二、在步骤一所述的AlGaN基材料表面制备纳米粒子；

步骤三、采用光刻技术在步骤二所述的纳米粒子上制备光刻胶掩膜图形；

步骤四、采用真空蒸发方法在步骤三所述的光刻胶掩膜图形上制备金属电极；

步骤五、采用Lift Off方法溶解步骤四所述的光刻胶，电极退火，获得高性能的AlGaN基探测器。

2.根据权利要求1所述的采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征在于，步骤一所述的常规衬底为蓝宝石或硅或碳化硅衬底；生长AlGaN基材料的生长方法为高温MOCVD的方法。

3.根据权利要求1所述的采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征在于，步骤二所述的制备的纳米粒子种类为二氧化硅、氮化硅介电纳米粒子，制备纳米粒子的制备方法为磁控溅射、阳极氧化铝模板或者真空蒸发的方法。

4.根据权利要求1所述的采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征在于，步骤三所述的制备光刻胶掩膜图形所用的光刻胶为负型光刻胶或者具有反转特性的正型光刻胶。

5.根据权利要求1所述的采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征在于，步骤四制备金属电极的电极材料为Ni/Au、Ni、Au、Pt、Ti/Al或者Ti/Al/Ni/Au。

6.根据权利要求1所述的采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法，其特征在于，步骤五所述的采用Lift Off方法中所用的溶液为丙酮。