[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基材，其特征在于：该镀膜件还包括形成于基材表面的若干钼层和若干钛铝氮层，该若干钼层和若干钛铝氮层交替排布，其中与所述基材直接相结合的是钼层，最外层为钛铝氮层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述若干钼层和若干钛铝氮层的总厚度为1.2～2.4μm。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述若干钼层和若干钛铝氮层的层数分别为40～60层。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该基材的材质为金属、玻璃或陶瓷。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述每一钼层的厚度为15～20nm。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述每一钛铝氮层的厚度为15～20nm。

7.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述每一钛铝氮层中钛的原子百分含量为75～82%，铝的原子百分含量为15～17%，氮的原子百分含量为1～10%。

8.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供基材；

在该基材的表面形成钼层；

在该钼层的表面形成钛铝氮层；

交替重复上述形成钼层和钛铝氮层的步骤，且使镀膜件的最外层为钛铝氮层。

9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述钼层的方法为：采用磁控溅射法，使用钼靶，设置钼靶的电源功率为10～15kw，以氩气为工作气体，氩气流量为400～800sccm，对基材施加偏压为-150～-500V，镀膜温度为60～200℃，镀膜时间为0.5～1min。

10.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述钛铝氮层的方法为：采用磁控溅射法，使用钛铝合金靶，该钛铝合金靶中钛的原子百分含量为75～82%，剩余的为铝，设置所述钛铝合金靶的电源功率为8～12kw，以氮气为工作气体，氮气流量为100～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为400～800sccm，对基材施加偏压为-150～-500V，镀膜温度为60～200℃，镀膜时间为0.5～1min。